[發明專利]控制絕緣體上半導體型結構中應力分布的方法及對應結構

無效

• 申請號: 201080048486.6
• 申請日: 2010-09-30
• 公開（公告）號: CN102598243A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 塞巴斯蒂安·凱爾迪勒;帕特里克·雷諾
• 申請（專利權）人: 索泰克公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 呂俊剛;張旭東

1.一種在絕緣體上半導體型結構的制造過程中控制絕緣體上半導體型結構中應力分布的方法，所述絕緣體上半導體型結構包括位于支撐基板(1)上的半導體材料的薄層(3)，絕緣層(2，4)存在于所述支撐基板(1)的前面(10)和后面(11)中的每一個面上，所述前面上的所述絕緣層(2)形成厚的掩埋絕緣體(BOX)的至少一部分，根據所述方法的制造方法包括在所述支撐基板(1)上粘附接合所述薄層(3)，

其特征在于：在粘附接合之前，利用耐受去氧化的不同材料(5)覆蓋位于所述支撐基板的后面上的所述絕緣層(4)，與所述支撐基板的后面(11)上的該絕緣層(4)組合的材料至少部分地補償由所述支撐基板(1)上的掩埋絕緣體(BOX)施加的應力。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述絕緣層(2，4)特別地包括氧化物。

3.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述厚的掩埋絕緣體(BOX)由添加到所述薄層(3)上的絕緣體層(2)和/或添加到所述支撐層(1)上的絕緣體層構成。

4.如前述權利要求中的任一項所述的方法，其特征在于，所述厚的掩埋絕緣體(BOX)和所述支撐基板(1)的所述后面(11)上的所述絕緣層(4)在該基板(1)上施加相同的應力水平。

5.如權利要求1至3中的任一項所述的方法，其特征在于，所述厚的掩埋絕緣體(BOX)和所述支撐基板(1)的所述后面(11)上的所述絕緣層(4)在該基板(1)上施加不同的應力水平。

6.如前述權利要求中的任一項所述的方法，其特征在于，利用耐受去氧化的所述材料(5)，不僅覆蓋所述支撐基板(1)的所述后面(11)，而且覆蓋所述支撐基板(1)的其它面，以整體地包封所述支撐基板(1)。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，移除位于所述支撐基板(1)的所述前面(10)上的耐受去氧化的所述材料(5)的層。

8.如前述權利要求中的任一項所述的方法，其特征在于，耐受去氧化的所述材料(5)選自特別摻雜有例如硼或磷的多晶硅、可能進行了摻雜的非晶硅或氮化硅。

9.如權利要求8所述的方法，其中，耐受去氧化的所述材料(5)是多晶硅，其特征在于，在覆蓋位于所述支撐基板(1)的所述后面(11)上的所述絕緣層(4)之前，移除位于所述支撐基板(1)的所述前面(10)上的中間絕緣層。

10.如權利要求9所述的方法，其特征在于，所述中間絕緣層是在所述支撐基板(1)的所述后面上的所述絕緣層(4)的形成過程中獲得的層。

11.如權利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述支撐基板(1)的所述前面上的所述絕緣層(2)是通過熱氧化，或者通過在多晶硅上和/或在包括所述薄層(3)的供體基板(30)上沉積氧化物而形成的。

12.如前述權利要求中的任一項所述的方法，其特征在于，對所述支撐基板(1)進行能夠使其具有高電阻率的處理，即，使所述支撐基板(1)具有至少大于500Ω.cm的電阻率，優選地大于1000Ω.cm的電阻率。

13.一種絕緣體上半導體型結構，所述結構包括位于支撐基板(1)上的半導體材料的薄層(3)，絕緣層(2；4)存在于所述支撐基板(1)的前面(10)和后面(11)中的每一個上，所述前面(11)上的層形成厚的掩埋絕緣體(BOX)的至少一部分，

其特征在于：所述結構包括用于覆蓋所述支撐基板(1)的所述后面(11)上的所述絕緣層(4)并且由耐受去氧化的不同材料構成的層(5)，與所述支撐基板(1)的所述后面上的該絕緣層(4)組合的材料至少部分地補償由位于所述支撐基板(1)上的所述掩埋絕緣體(BOX)施加的應力。

14.如前述權利要求所述的結構，其特征在于，所述支撐基板(1)的所述前面(10)上的絕緣體層(2)與所述后面(11)上的絕緣體層(2)之間的厚度差小于或等于200納米。