[發明專利]布線層、半導體裝置、具有半導體裝置的液晶顯示裝置有效
| 申請號: | 201080048436.8 | 申請日: | 2010-10-21 |
| 公開(公告)號: | CN102576675A | 公開(公告)日: | 2012-07-11 |
| 發明(設計)人: | 高澤悟;白井雅紀;石橋曉 | 申請(專利權)人: | 株式會社愛發科 |
| 主分類號: | H01L21/3205 | 分類號: | H01L21/3205;G02F1/1343;G02F1/1368;H01L21/28;H01L23/52;H01L29/417;H01L29/786 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 閆小龍;王忠忠 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 布線 半導體 裝置 具有 液晶 顯示裝置 | ||
1.一種在氧化物薄膜上配置并被構圖的布線層,其中,
所述布線層具有與所述氧化物薄膜接觸的高緊貼性阻擋膜和在所述高緊貼性阻擋膜上配置的銅薄膜,
所述高緊貼性阻擋膜含有銅、鎂、鋁,在將銅、鎂、鋁的總計原子數設為100at%時,鎂的含有率為0.5at%以上且5at%以下的范圍、鋁的含有率為5at%以上且15at%以下的范圍。
2.一種半導體裝置,其中,具有:
權利要求1所述的布線層;
半導體層;
柵極絕緣膜,形成在所述半導體層上;以及
柵極電極膜,隔著所述柵極絕緣膜與所述半導體層對置,
在所述半導體層,在與所述柵極電極膜對置的部分設置有溝道區域,在所述溝道區域的兩側設置有源極區域和漏極區域,
所述柵極絕緣膜由所述氧化物薄膜構成,所述布線層以使所述高緊貼性阻擋膜與所述柵極絕緣膜接觸的方式配置。
3.一種半導體裝置,具有:
源極電極層和漏極電極層,由權利要求1所述的布線層構成;
半導體層;
柵極絕緣膜,形成在所述半導體層上;以及
柵極電極膜,隔著所述柵極絕緣膜與所述半導體層對置,
在所述半導體層,在與所述柵極電極膜對置的部分設置有溝道區域,在所述溝道區域的兩側設置有源極區域和漏極區域,
所述源極電極層和所述漏極電極層分別與所述源極區域和所述漏極區域接觸,
在所述源極電極層和所述漏極電極層上配置有所述氧化物薄膜,
其中,
所述布線層以使所述高緊貼性阻擋膜與所述氧化物薄膜接觸的方式配置。
4.一種液晶顯示裝置,其中,具有:
權利要求2或權利要求3的任意一項所述的半導體裝置;
玻璃基板;
像素電極層,形成在所述玻璃基板上;
液晶,位于所述像素電極層上;以及
上部電極層,位于所述液晶上,
所述源極電極層或漏極電極層的任意一個利用所述布線層與所述像素電極層連接,
利用所述半導體裝置切換施加在所述像素電極層和所述上部電極層之間的電壓,在所述像素電極層和所述上部電極層之間具有液晶。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





