[發明專利]β型賽隆熒光體的制造方法有效
| 申請號： | 201080048286.0 | 申請日： | 2010-10-27 |
| 公開（公告）號： | CN102575158A | 公開（公告）日： | 2012-07-11 |
| 發明（設計）人： | 市川真義;長崎浩德 | 申請（專利權）人： | 電氣化學工業株式會社 |
| 主分類號： | C09K11/08 | 分類號： | C09K11/08;C09K11/64 |
| 代理公司： | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人： | 李中奎;郭紅麗 |
| 地址： | 日本東京中央*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 型賽隆 熒光 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種β型賽隆熒光體的制造方法，所述熒光體在氮化物或氧氮化物的結晶中含有作為發光中心的光學活性元素，所述制造方法的特征在于，包括：
對含有氮化硅、鋁化合物粉末以及光學活性元素化合物的混合物進行加熱處理的燒結工序；
在冷卻燒結物后，在氮氣氣氛下對該燒結物進行加熱處理的高溫退火工序；
在稀有氣體氣氛下加熱處理高溫退火處理物的稀有氣體退火工序；和
用酸處理稀有氣體處理物的工序。
2.一種β型賽隆熒光體的制造方法，所述熒光體在氮化物或氧氮化物的結晶中含有作為發光中心的光學活性元素，所述制造方法的特征在于，包括：
在氮氣氣氛下加熱含有硅、鋁化合物粉末以及光學活性元素化合物的混合物的氮化工序；
對氮化處理后的金屬化合物和光學活性元素化合物進行加熱處理的燒結工序；
在冷卻燒結物后，在氮氣氣氛下對該燒結物進行加熱處理的高溫退火工序；
在稀有氣體氣氛下加熱處理高溫退火處理物的稀有氣體退火工序；和
用酸處理稀有氣體處理物的工序。
3.根據權利要求1或2所述的β型賽隆熒光體的制造方法，其特征在于，所述高溫退火工序的加熱處理溫度低于燒結工序的加熱溫度。
4.根據權利要求1或2所述的β型賽隆熒光體的制造方法，其特征在于，所述稀有氣體退火工序的加熱處理溫度低于燒結工序的加熱溫度。
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