[發明專利]聚硅烷-聚硅氮烷共聚物及其制備和使用方法

無效

• 申請號: 201080048280.3
• 申請日: 2010-10-25
• 公開（公告）號: CN102597066A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 韋·陳;E·S·梅爾;B·T·源;S·王;馬克·A·瓦努斯;周曉兵
• 申請（專利權）人: 道康寧公司
• 主分類號: C08G77/62
• 分類號: C08G77/62;C09D183/16
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 武晶晶;鄭霞

1.一種聚硅烷-聚硅氮烷共聚物，包括：

式的聚硅烷單元，和

式的聚硅氮烷單元，其中

R¹和R²各自獨立地選自H、Si和N原子，且

R³選自H、Si或C原子，

a≥1，

b≥1，且

值(a+b)≥2；且

其中所述共聚物不含SiC鍵。

2.根據權利要求1所述的共聚物，具有式

其中R¹和R²各自獨立地選自H、Si和N原子，且R³選自H、Si或C原子。

3.根據權利要求1所述的共聚物，還包括式的單元，其中c≥1，式的單元，其中d≥1，或兩者，條件是所述式的單元不同于所述聚硅烷單元。

4.一種組合物，包括：

(a)5％至20％的權利要求1至3中任一項所述的共聚物，和

(b)80％至95％的溶劑。

5.一種方法，包括：

1)將權利要求1至3中任一項所述的共聚物或權利要求4所述的組合物涂覆到基材上以形成膜，和

2)加熱所述膜。

6.根據權利要求5所述的方法，其中通過旋涂、擠壓涂覆、浸漬涂覆或噴涂進行步驟1)。

7.根據權利要求5或權利要求6所述的方法，其中所述基材是其上具有納米級溝槽的半導體晶片，其中所述納米級溝槽具有6至60的高寬比。

8.根據權利要求5至7中任一項所述的方法，其中步驟2)包括i)低溫濕氣侵潤步驟和ii)高溫退火步驟。

9.根據權利要求8所述的方法，其中步驟i)包括將所述膜暴露于22℃至200℃范圍內的溫度下的空氣濕氣或蒸氣，持續30分鐘至60分鐘，且其后在至少400℃的溫度下加熱所述膜30分鐘至60分鐘。

10.根據權利要求8所述的方法，其中步驟ii)包括在包含N₂O、N₂或蒸氣的環境中，在從600℃至900℃范圍內的溫度下加熱所述膜。

11.一種根據權利要求5至10中任一項所述的方法制備的產物。

12.根據權利要求11所述的產物，其中所述產物是完全縮合的。

13.根據權利要求11所述的產物，其中所述產物是部分縮合的。

14.一種用于制備權利要求1或權利要求2所述的共聚物的方法，包括：I)將每個分子具有至少2個硅原子的全氯聚硅烷與胺反應。

15.一種用于制備權利要求1所述的共聚物的方法，包括：I)將每個分子具有至少2個硅原子的全氯聚硅烷與氨反應。

16.一種用于制備權利要求1所述的共聚物的方法，包括：I)將每個分子具有至少2個硅原子的全氯聚硅烷與硅氮烷反應。

17.根據權利要求14至16中任一項所述的方法，其中所述全氯聚硅烷是線型的、支化的、環狀的或三維橋連的。

18.根據權利要求14至16中任一項所述的方法，其中所述全氯聚硅烷包括全氯新戊硅烷。

19.根據權利要求14至18中任一項所述的方法，其中步驟I)中包括H₂SiCl₂、HSiCl₃或其組合。

20.根據權利要求14至18中任一項所述的方法，其中無溶劑地進行步驟I)。

21.根據權利要求14至18中任一項所述的方法，其中在步驟I)中使用溶劑。

22.根據權利要求14至19中任一項所述的方法，還包括II)在惰性環境中在升高的溫度下加熱步驟I)的產物。

23.權利要求1至3中任一項所述的共聚物或權利要求4所述的組合物在選自淺溝槽隔離和金屬前電介質的應用中的用途。

24.權利要求1至3中任一項所述的共聚物用于纖維鑄造的用途。