[發明專利]用于源和掩模優化的圖案選擇方法有效
| 申請號: | 201080048248.5 | 申請日: | 2010-10-26 |
| 公開(公告)號: | CN102597872A | 公開(公告)日: | 2012-07-18 |
| 發明(設計)人: | 劉華玉;李江偉;李志潘;陳洪;陳洛祁;張幼平;葉軍;蔡明村;陸顏文 | 申請(專利權)人: | ASML荷蘭有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/36 | 分類號: | G03F1/36;G03F7/20 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 吳敬蓮 |
| 地址: | 荷蘭維*** | 國省代碼: | 荷蘭;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 優化 圖案 選擇 方法 | ||
1.一種選擇與設計相關的圖案子組的方法,其中設計或設計的修正被配置成通過光刻過程成像到襯底上,其中圖案子組構成所述設計的預定表示,所述方法包括下列步驟:
識別與所述設計的預定表示相關的圖案組,
將所述圖案組分組和/或分類,
限定與所述分組和/或分類相關的閾值,和
從所述圖案組中選擇圖案子組,其中所述圖案子組包括來自所述圖案組中的高于或低于所述閾值的圖案。
2.如權利要求1所述的選擇圖案子組的方法,其中識別圖案組的步驟包括:
識別與所述設計相關的片段組;
從所述設計識別圖案以構成所述圖案組的至少部分;
從所述設計自動地識別圖案以構成所述圖案組的至少部分。
3.如權利要求1所述的選擇圖案子組的方法,其中選擇圖案子組的步驟包括:
從所述圖案組選擇片段作為片段組,所述圖案子組包括所選定的片段;
從所述設計自動提取圖案,所述圖案子組包括自動提取的圖案;
從所述設計手動提取圖案,所述圖案子組包括手動提取的圖案。
4.如權利要求1所述的選擇圖案子組的方法,其中用于識別所述圖案組的設計的預定表示包括下列中的一個或多個:
-由所述設計的圖案產生的衍射級;
-所述設計中存在的一個或多個圖案類型;
-所述設計中存在的圖案的復雜度;
-在光刻過程期間所述設計中存在的圖案的要求的特定關注和/或驗證;
-所述設計中圖案的過程窗口性能;
-對所述設計中存在的圖案的過程參數變化的預定敏感度。
5.如權利要求3所述的選擇圖案子組的方法,用于識別所述圖案組的所述設計的預定表示包括在所述設計中的圖案的過程窗口性能,其中圖案子組包括基本上對應所述設計的過程窗口性能的過程窗口性能。
6.如權利要求3所述的選擇圖案子組的方法,用于識別所述圖案組的所述設計的預定表示包括在所述設計中的圖案的過程窗口性能,其中圖案子組包括所述圖案的熱斑點,所述圖案來自限定所述設計的過程窗口性能的所述圖案組。
7.如權利要求5或6所述的選擇圖案子組的方法,其中所述方法還包括用于從所述圖案組識別所述圖案的至少部分的過程窗口性能的數值模型化方法。
8.如權利要求1所述的選擇圖案子組的方法,其中所述分組和/或分類包括根據下列中的一個或多個分組和/或分類:
-與所述設計的預定表示相關的參數;
-與所述設計的預定表示相關的函數;
-與所述設計的預定表示相關的規則。
9.如權利要求1所述的選擇圖案子組的方法,其中所述閾值包括下列中的一個或多個:
-嚴重度分數水平;
-過程窗口參數;
-來自預定數量組的圖案的每一個組的多個圖案,所述預定數量組的圖案通過將所述圖案組分組的步驟產生;
-來自分類級中的分類的圖案的預定數量的圖案;
-圖案中的結構的尺寸;
-在所述設計或所述圖案組中多次出現的圖案;
-與所述設計相關的臨界的圖案。
10.如權利要求1所述的選擇圖案子組的方法,
其中識別圖案組的步驟包括計算用于所述設計的圖案的衍射級分布的步驟,和
其中將所述圖案組分組和/或分類的步驟包括基于計算的衍射級分布將所述圖案組分組為多個組,和
其中選擇圖案子組的步驟包括從多個組選擇一個或多個圖案作為子組。
11.如權利要求1所述的選擇圖案子組的方法,
其中識別圖案組的步驟包括識別一個或多個存儲圖案,和
其中所述方法還包括對于一個或多個存儲圖案預優化光刻工具的照射源用于將所述設計成像到襯底上步驟,和
其中將所述圖案組分組和/或分類的步驟包括使用預優化的照射源確定所述設計中的潛在熱斑點,和
其中選擇圖案子組的步驟包括基于所確定的潛在熱斑點選擇子組。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





