[發明專利]太陽能電池及制造所述太陽能電池的方法

有效

• 申請號: 201080048218.4
• 申請日: 2010-08-24
• 公開（公告）號: CN102598311A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: L·J·格林斯;G·李;P·C·巴頓;R·C·G·內伯;A·F·史塔生;Z·胡
• 申請（專利權）人: 荷蘭能源建設基金中心
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0236
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 彭麗丹;過曉東

1.由第一導電型半導體基底制造太陽能電池的方法，所述半導體基底具有正面和背面，所述方法包括：

對所述正面紋理化以形成具紋理的正面以及對所述背面紋理化以形成具紋理的背面；

部分平滑處理所述具紋理的背面，以及任選部分平滑處理所述具紋理的正面；

通過第一導電型摻雜劑的擴散在所述背面中形成第一導電型背電場層；和

通過使第二導電型摻雜劑擴散到所述具紋理的正面中在該具紋理的正面上形成第二導電型層。

2.權利要求1的方法，其中對所述正面紋理化以形成具紋理的正面包括對所述背面紋理化以形成具紋理的背面。

3.前述權利要求之一的方法，其中對所述正面紋理化和對所述背面紋理化包括產生含有角錐形的正面和含有角錐形的背面。

4.權利要求3的方法，其中所述部分平滑處理包括加寬角錐形之間的中間凹部以提供寬度為50-2000nm的凹部。

5.權利要求3-4之一的方法，其中所述部分平滑處理包括修圓角錐形之間的中間凹部以提供具有半徑為25-1000nm的彎曲部分的凹部。

6.權利要求1-5之一的方法，其還包括在一個或兩個摻雜層上形成鈍化層，所述鈍化層為例如選自氮化硅、氧化硅、碳化硅和氧化鋁及任選的其它材料。

7.權利要求7的方法，其中通過以下一種或多種技術形成所述鈍化層：等離子體增強化學氣相沉積、低壓化學氣相沉積、大氣壓化學氣相沉積、濺射、原子層沉積、濕化學法氧化。

8.權利要求1-7之一的方法，所述方法包括：

對所述正面紋理化以形成具紋理的正面以及對所述背面紋理化以形成具紋理的背面；

部分平滑處理所述具紋理的背面，以及任選部分平滑處理所述具紋理的正面；

通過第一導電型摻雜劑的擴散在所述背面中形成第一導電型背電場層，在所述具紋理的正面中形成第一導電型摻雜層；

通過適用于保留所述具紋理的正面的紋理的蝕刻方法從所述具紋理的正面除去所述第一導電型摻雜層；和

通過使第二導電型摻雜劑擴散到所述具紋理的正面中在該具紋理的正面上形成第二導電型層。

9.權利要求8的方法，其包括，在所述第一導電型摻雜劑擴散過程中，在所述正面和背面上由第一導電型前體形成包含摻雜劑的玻璃狀層，所述包含摻雜劑的玻璃狀層用作所述半導體基底的摻雜劑來源。

10.權利要求9的方法，其包括，在從所述具紋理的正面除去所述第一導電型摻雜層之前，從所述正面和背面除去所述包含摻雜劑的玻璃狀層。

11.權利要求9的方法，其包括，在單面蝕刻步驟中，從所述正面除去所述包含摻雜劑的玻璃狀層，同時從所述具紋理的正面除去所述第一導電型摻雜層。

12.權利要求11的方法，其包括，在所述單面蝕刻步驟中從正面除去包含摻雜劑的玻璃狀層并從具紋理的正面除去第一導電型摻雜層之后，從所述背面除去所述包含摻雜劑的玻璃狀層。

13.權利要求9的方法，其包括在從所述具紋理的正面除去所述第一導電型摻雜層之前：

-從所述正面和背面除去所述包含摻雜劑的玻璃狀層，和

-在所述背電場層上形成保護層。

14.權利要求11的方法，其包括：

-在所述具紋理的正面中形成第一導電型摻雜層和在所述背面中形成第一導電型背電場層之后：

-在所述背電場層上形成保護層，

然后在單面蝕刻步驟中從所述正面除去包含摻雜劑的玻璃狀層同時從所述具紋理的正面除去第一導電型摻雜層。

15.權利要求14的方法，其包括：在單面蝕刻步驟中從所述正面除去包含摻雜劑的玻璃狀層同時從所述具紋理的正面除去第一導電型摻雜層之后但在所述具紋理的正面上形成第二導電型層之前：

-從所述背面除去所述保護層和包含摻雜劑的玻璃狀層。

16.權利要求13或15的方法，其中所述保護層包括含有至少一種選自氧化鋁(Al₂O₃)、氮化硅(SiN_x)、電介質和抗蝕劑的材料的涂層。