[發(fā)明專利]晶體管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080047999.5
• 申請日: 2010-10-08
• 公開（公告）號: CN102668095A
• 公開（公告）日: 2012-09-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 山崎舜平
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 秦晨

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

襯底；

所述襯底上的第一絕緣膜；

所述第一絕緣膜上的第一電極；

所述第一電極上的氧化物半導(dǎo)體膜；

所述氧化物半導(dǎo)體膜上的第二電極；

覆蓋所述第一電極、所述氧化物半導(dǎo)體膜及所述第二電極的柵極絕緣膜；以及

隔著所述柵極絕緣膜與所述氧化物半導(dǎo)體膜的側(cè)表面相鄰的第三電極，所述第三電極與所述柵極絕緣膜接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括設(shè)置在所述第三電極上的第二絕緣膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第二絕緣膜具有疊層結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一絕緣膜具有疊層結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述柵極絕緣膜包含氮化硅。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一電極用作源電極和漏電極中的一方，所述第二電極用作所述源電極和所述漏電極中的另一方，并且所述第三電極用作柵電極。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述氧化物半導(dǎo)體膜的載流子濃度為5×10¹⁴/cm³以下。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述氧化物半導(dǎo)體膜的氫濃度為5×10¹⁹/cm³以下。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述氧化物半導(dǎo)體膜的溝道區(qū)包含晶粒。

10.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

襯底；

所述襯底上的第一絕緣膜；

所述第一絕緣膜上的第一電極；

所述第一電極上的氧化物半導(dǎo)體膜；

所述氧化物半導(dǎo)體膜上的第二電極；

覆蓋所述第一電極、所述氧化物半導(dǎo)體膜及所述第二電極的柵極絕緣膜；以及

隔著所述柵極絕緣膜與所述氧化物半導(dǎo)體膜的側(cè)表面相鄰的多個第三電極，所述多個第三電極與所述柵極絕緣膜接觸。

11.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

襯底；

所述襯底上的第一絕緣膜；

所述第一絕緣膜上的多個第一電極；

所述多個第一電極上的氧化物半導(dǎo)體膜；

所述氧化物半導(dǎo)體膜上的第二電極；

覆蓋所述多個第一電極、所述氧化物半導(dǎo)體膜及所述第二電極的柵極絕緣膜；以及

隔著所述柵極絕緣膜與所述氧化物半導(dǎo)體膜的側(cè)表面相鄰的多個第三電極，所述多個第三電極與所述柵極絕緣膜接觸。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，還包括設(shè)置在所述多個第三電極上的第二絕緣膜。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第二絕緣膜具有疊層結(jié)構(gòu)。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一絕緣膜具有疊層結(jié)構(gòu)。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述柵極絕緣膜包含氮化硅。

16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述多個第一電極用作源電極和漏電極中的一方，所述第二電極用作所述源電極和所述漏電極中的另一方，并且所述多個第三電極用作柵電極。

17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述氧化物半導(dǎo)體膜的載流子濃度為5×10¹⁴/cm³以下。

18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述氧化物半導(dǎo)體膜的氫濃度為5×10¹⁹/cm³以下。

19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述氧化物半導(dǎo)體膜的溝道區(qū)包含晶粒。