[發明專利]有機光電轉換元件的制造方法

無效

• 申請號: 201080047013.4
• 申請日: 2010-10-22
• 公開（公告）號: CN102576806A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 清家崇廣;大西敏博
• 申請（專利權）人: 住友化學株式會社
• 主分類號: H01L51/42
• 分類號: H01L51/42
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 蔣亭

1.一種有機光電轉換元件的制造方法，其為具有第1基板、第2基板、由設置于所述第1基板的第1電極和設置于所述第2基板的第2電極構成的一對電極、以及在所述一對電極間夾持的活性層的有機光電轉換元件的制造方法，其包括如下工序：

在設置于所述第1基板的所述第1電極上形成第1電荷輸送層的工序；

在所述第1電荷輸送層上形成活性層而形成第1層疊結構體的工序；

在設置于所述第2基板的所述第2電極上形成第2電荷輸送層而形成第2層疊結構體的工序；以及

使設置于所述第1層疊結構體的所述活性層與設置于所述第2層疊結構體的所述第2電荷輸送層接觸，并將所述第1層疊結構體與所述第2層疊結構體接合的接合工序。

2.一種有機光電轉換元件的制造方法，其為具有第1基板、第2基板、由設置于所述第1基板的第1電極和設置于所述第2基板的第2電極構成的一對電極、以及在所述一對電極間夾持的活性層的有機光電轉換元件的制造方法，其包括如下工序：

在設置于所述第1基板的所述第1電極上形成第1電荷輸送層的工序；

在所述第1電荷輸送層上形成第1導電型層而形成第1層疊結構體的工序；

在設置于所述第2基板的第2電極上形成第2電荷輸送層、在所述第2電荷輸送層上形成第2導電型層而形成第2層疊結構體的工序；以及

使所述第1導電型層與所述第2導電型層接觸地接合，形成由所述第1導電型層和所述第2導電型層層疊而成的所述活性層的接合工序。

3.根據權利要求1所述的有機光電轉換元件的制造方法，其中，

接合工序為擠壓第1基板和第2基板中的任意一方或雙方的加壓工序。

4.根據權利要求1所述的有機光電轉換元件的制造方法，其中，

接合工序在比常溫更高溫的溫度條件下進行。

5.根據權利要求4所述的有機光電轉換元件的制造方法，其中，

接合工序在高于40℃且低于100℃的溫度條件下進行。

6.根據權利要求1所述的有機光電轉換元件的制造方法，其中，

接合工序在如下所述的溶劑蒸氣氛圍下進行，所述溶劑蒸氛圍為使第1層疊結構體的與第1基板相反側的露出層和第2層疊結構體的與第2基板相反側的露出層中的任意一方或雙方的露出層的表面溶解的溶劑蒸氣氛圍。

7.根據權利要求6所述的有機光電轉換元件的制造方法，其中，

作為溶劑蒸氣，使用芳香族烴的蒸氣或脂肪族烴的蒸氣。

8.根據權利要求6所述的有機光電轉換元件的制造方法，其中，

作為溶劑蒸氣，使用水蒸氣或醇的蒸氣。

9.根據權利要求1所述的有機光電轉換元件的制造方法，其中，

在接合工序后，還包括在真空中對接合的第1層疊結構體和第2層疊結構體進行真空處理的工序。

10.根據權利要求6所述的有機光電轉換元件的制造方法，其中，

在接合工序中，第1層疊結構體的與第1基板相反側的露出層和第2層疊結構體的與第2基板相反側的露出層中的任意一方或雙方為包含有機化合物的層。

11.根據權利要求6所述的有機光電轉換元件的制造方法，其中，

在接合工序中，第1層疊結構體的與第1基板相反側的露出層和第2層疊結構體的與第2基板相反側的露出層中的任意一方或雙方為包含無機化合物的層。

12.一種有機光電轉換元件，其是通過權利要求1所述的制造方法制造的。

13.根據權利要求12所述的有機光電轉換元件，其中，

相對置的第1基板的主面與第2基板的主面之間的間隔大于300nm、且小于500nm。

14.根據權利要求12所述的有機光電轉換元件，其中，

第1基板和第2基板中的任意一方或雙方的基板為無機化合物薄膜。

15.根據權利要求12所述的有機光電轉換元件，其中，

第1基板和第2基板中的任意一方或雙方的基板為有機化合物薄膜。

16.根據權利要求14所述的有機光電轉換元件，其中，

無機化合物薄膜為包含金屬或合金的薄膜。

17.根據權利要求15所述的有機光電轉換元件，其中，

有機化合物薄膜還具有阻擋層。