[發明專利]有機光電轉換元件及其制造方法無效
| 申請號： | 201080046952.7 | 申請日： | 2010-10-26 |
| 公開（公告）號： | CN102576805A | 公開（公告）日： | 2012-07-11 |
| 發明（設計）人： | 加藤岳仁;三谷明子;大西敏博 | 申請（專利權）人： | 住友化學株式會社 |
| 主分類號： | H01L51/42 | 分類號： | H01L51/42 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 蔣亭 |
| 地址： | 日本國*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 有機 光電 轉換 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一種有機光電轉換元件，其具有陽極、陰極、以及設置于該陽極與該陰極之間的有機活性層，所述有機活性層使用包含第一p型半導體材料、n型半導體材料和溶劑的溶液而形成，其中，
所述第一p型半導體材料的溶解度參數與所述溶劑的溶解度參數之差為2.9～6.5，所述n型半導體材料的溶解度參數與所述溶劑的溶解度參數之差為0～5。
2.根據權利要求1所述的有機光電轉換元件，其中，
作為構成有機活性層的p型半導體材料，還包含第二p型半導體材料，所述第二p型半導體材料的溶解度參數與所述溶劑的溶解度參數之差為2.8～6.5。
3.根據權利要求2所述的有機光電轉換元件，其中，
在將有機活性層中所含的p型半導體材料的重量的總計設為100的情況下，第二p型半導體材料的重量為50以下。
4.一種有機光電轉換元件的制造方法，所述有機光電轉換元件具有陽極、陰極、以及設置于該陽極與該陰極之間的有機活性層，所述有機活性層使用包含第一p型半導體材料、n型半導體材料和溶劑的溶液而形成，其中，
在所述第一p型半導體材料的溶解度參數與所述溶劑的溶解度參數之差為2.9～6.5、所述n型半導體材料的溶解度參數與所述溶劑的溶解度參數之差為0～5的范圍內，選擇所述第一p型半導體材料、n型半導體材料、以及溶劑。
5.根據權利要求4所述的有機光電轉換元件的制造方法，其中，
作為構成有機活性層的p型半導體材料，還使用第二p型半導體材料，并且在所述第二p型半導體材料的溶解度參數與所述溶劑的溶解度參數之差為2.8～6.5的范圍內，選擇所述第一p型半導體材料、第二p型半導體材料、n型半導體材料以及溶劑。
6.根據權利要求5所述的有機光電轉換元件的制造方法，其中，
在將有機活性層中所含的p型半導體材料的重量的總計設為100的情況下，將第二p型半導體材料的重量設定為50以下。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
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H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
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H01L51-54 .. 材料選擇
