[發明專利]多晶硅制造用芯線支架及多晶硅的制造方法

有效

• 申請號: 201080046255.1
• 申請日: 2010-07-27
• 公開（公告）號: CN102574691A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 禰津茂義;黑谷伸一;小黑曉二;久米史高
• 申請（專利權）人: 信越化學工業株式會社
• 主分類號: C01B33/035
• 分類號: C01B33/035
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 高培培;車文

1.一種芯線支架，在利用西門子法進行的多晶硅的制造中使用，其特征在于，

在設有供硅芯線插入的空洞的開口部的一端和作為與金屬電極接觸的接觸部的另一端之間設有絕熱部，所述金屬電極用于使電流流向所述硅芯線。

2.根據權利要求1所述的芯線支架，其中，

所述芯線支架為石墨制碳電極。

3.根據權利要求1或2所述的芯線支架，其中，

所述絕熱部包含從所述開口部附近的外周面朝向所述空洞形成的至少一個環狀狹縫。

4.根據權利要求3所述的芯線支架，其中，

所述環狀狹縫的形成深度為該環狀狹縫形成區域的芯線支架壁厚的70％以上且小于100％。

5.根據權利要求3所述的芯線支架，其中，

所述環狀狹縫的形成深度為該環狀狹縫形成區域的芯線支架壁厚的90％以上且小于100％。

6.根據權利要求3所述的芯線支架，其中，

所述環狀狹縫的內周面與所述硅芯線的外周面的距離為0.1mm以上。

7.根據權利要求3所述的芯線支架，其中，

所述環狀狹縫的寬度為0.5mm以上。

8.根據權利要求3所述的芯線支架，其中，

所述一端側形成為圓錐臺狀，所述環狀狹縫形成在該圓錐臺的斜面上。

9.根據權利要求3所述的芯線支架，其中，

在所述環狀狹縫內填充有導熱性比所述芯線支架的材料小的絕緣材料。

10.根據權利要求1或2所述的芯線支架，其中，

所述芯線支架的導熱系數為145W/m·K以下。

11.一種多晶硅的制造方法，使用權利要求3所述的芯線支架，其特征在于，

在多晶硅的氣相生長開始時，以所述環狀狹縫形成部的截面電流密度為0.05A/mm²以上且4.9A/mm²以下的方式進行向所述芯線支架的電流供給。