[發明專利]基于狀態方程的偽密度根的熱力學過程控制

無效

• 申請號: 201080046140.2
• 申請日: 2010-08-20
• 公開（公告）號: CN102597988A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: G·徐;D·布拉克;D·J·范伯爾森;I·H·伯伊斯
• 申請（專利權）人: 因文西斯系統公司
• 主分類號: G06F17/00
• 分類號: G06F17/00;G06F9/455;G06F15/16
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 侯海燕

1.一種系統，包括：

包括至少一個處理器的計算機系統；

熱力學過程仿真應用；和

熱力學狀態方程應用，當被計算機系統的所述至少一個處理器執行時，熱力學狀態方程應用至少根據規定壓力、規定溫度和脫離狀態方程的第一偏離點而確定密度根，其中第一偏離點是根據在第一偏離點的狀態方程的壓力-密度之比與在第一偏離點的狀態方程的壓力相對于密度的變化率之間的比例關系確定的，并且其中當規定壓力小于在第一偏離點的壓力時，以偽密度的形式確定密度根，

其中熱力學過程仿真應用在計算機系統的所述至少一個處理器上運行，并且迭代地調用熱力學狀態方程應用，以根據熱力學狀態方程應用確定的密度根而確定結果。

2.按照權利要求1所述的系統，其中系統處理熱力學過程仿真應用確定的結果，以執行下述動作組中的至少一個動作：控制熱力學過程控制組件，培訓熱力學過程控制組件的操作人員，預測熱力學過程控制組件的失效時間，和驗證熱力學過程控制組件的設計。

3.按照權利要求1所述的系統，其中第一偏離點被確定為在衍生于狀態方程的規定溫度下的壓力P-密度ρ的等溫曲線上的點(ρ_dp1，P_dp1)，其中：

∂P∂ρ=βPρ+Ω]]>

其中β是在約束條件β≥0.5下選擇的常數，其中是狀態方程的壓力P相對于密度ρ的偏導數，并且其中Ω是可選偏移量。

4.按照權利要求3所述的系統，其中常數β被選擇成具有在0.7～3.0的范圍中的值。

5.按照權利要求3所述的系統，其中常數β被選擇成具有約1.0的值。

6.按照權利要求1所述的系統，其中偽密度是根據包括密度平方項的第一外推方程確定的。

7.按照權利要求6所述的系統，其中第一偏離點被指定為點(ρ_dp1，P_dp1)，并且其中第一外推方程為：

P＝P_dp1+b(ρ-ρ_dp1)+c(ρ-ρ_dp1)²

其中b和c是常數。

8.按照權利要求7所述的系統，其中常數在第一偏離點，在溫度T下，狀態方程的壓力P相對密度ρ的偏導數值。

9.按照權利要求1所述的系統，其中第一偏離點被指定為點(ρ_dp1，P_dp1)，其中進一步根據規定相和指定為點(ρ_dp2，P_dp2)的脫離狀態方程的第二偏離點而確定密度根，其中ρ_dp2小于ρ_dp1，其中當規定相為相2，并且規定壓力大于P_dp2時，以偽密度的形式確定密度根，并且其中當規定相為相1，并且規定壓力小于P_dp1時，以偽密度的形式確定密度根。

10.按照權利要求9所述的系統，其中當規定相為相2，并且規定壓力P大于P_dp2時，根據在高規定壓力下漸近地逼近狀態方程的第二外推方程而確定偽密度。

11.按照權利要求1所述的系統，其中所述結果是閃蒸器中的閃蒸狀況，蒸餾塔中的蒸餾狀況，吸收塔中的吸收狀況，汽提塔中的汽提狀況。