[發明專利]用于控制涂覆沉積的方法和設備

有效

• 申請號: 201080046136.6
• 申請日: 2010-09-02
• 公開（公告）號: CN102597316A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: M·拉加拉;J·蒂卡寧
• 申請（專利權）人: BENEQ有限公司
• 主分類號: C23C16/52
• 分類號: C23C16/52;C03C17/00;C23C16/455;C23C4/00;C23C14/52;C23C14/54;B05D1/10;B05D1/02;G01N15/02
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 汪宇偉

1.一種用于控制涂覆沉積工藝的方法，其中至少在涂覆沉積工藝的一個階段，涂覆前體或反應產物中的至少一種包含氣體、蒸氣或氣溶膠，該方法包括監測超細顆粒和根據該監測調節至少一個工藝參數。

2.權利要求1的方法，其中所述涂覆沉積工藝是化學氣相沉積(CVD)工藝。

3.權利要求1的方法，其中所述涂覆工藝是工藝。

4.權利要求1的方法，其中所述涂覆工藝是燃燒沉積工藝。

5.如權利要求2-4中任一項的方法，該方法包括根據顆粒監測信號調節前體混合物濃度。

6.如權利要求2-4中任一項的方法，該方法包括根據所測量的顆粒濃度調節至少一個前體溫度。

7.權利要求1的方法，其中所述涂覆沉積工藝是原子層沉積(ALD)工藝。

8.權利要求7的方法，該方法包括在至少一個前體循環期間監測超細顆粒濃度。

9.權利要求7或8的方法，該方法包括在清洗循環期間監測超細顆粒濃度。

10.如權利要求7-9中任一項的方法權利要求，該方法包括根據所測量的顆粒濃度調節清洗循環的長度。

11.前述權利要求中任一項的方法，該方法包括用電稱低壓沖擊器測量顆粒濃度。

12.前述權利要求中任一項的方法，該方法包括通過獲得樣品流、將該樣品流與基本上純凈的帶電氣體混合并且測量顆粒攜帶的電流來測量顆粒濃度。

13.前述權利要求中任一項的方法，該方法包括根據所測量的顆粒濃度調節反應器室表面的至少一部分的溫度。

14.所提出的權利要求中任一項的方法，其中該方法用于在玻璃上產生基本上不混濁的涂層。

15.所提出的權利要求中任一項的方法，其中該方法用于在玻璃上生產混濁的透明氧化物涂層。

16.一種用于控制涂覆沉積工藝的設備，該設備包含用于監測超細顆粒的裝置(13)和用于根據該監測調節至少一個工藝參數的裝置(14)。