[發明專利]復合半透膜的制造方法有效
| 申請號： | 201080045822.1 | 申請日： | 2010-10-13 |
| 公開（公告）號： | CN102574069A | 公開（公告）日： | 2012-07-11 |
| 發明（設計）人： | 林修;河村和典;福村卓哉 | 申請（專利權）人： | 日東電工株式會社 |
| 主分類號： | B01D69/10 | 分類號： | B01D69/10;B01D69/12;B01D71/46;C08J7/00;C08J9/36 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 張寶榮 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 復合 半透膜 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種復合半透膜的制造方法，是包括在多孔性支承體的表面形成表層的表層形成工序的復合半透膜的制造方法，其特征在于，
多孔性支承體是環氧樹脂多孔性支承體，
包括在表層形成工序前在環氧樹脂多孔性支承體的將要形成表層的表面側實施大氣壓等離子體處理的等離子體處理工序。
2.如權利要求1所述的復合半透膜的制造方法，其中，大氣壓等離子體處理在含氮氣和/或氨氣的氣體中進行。
3.如權利要求1所述的復合半透膜的制造方法，其中，大氣壓等離子體處理在含稀有氣體的氣體中進行。
4.如權利要求1所述的復合半透膜的制造方法，其中，大氣壓等離子體處理在0.1～5Wsec/cm2的放電強度下進行。
5.如權利要求1所述的復合半透膜的制造方法，其中，等離子體處理工序后，在24小時以內進行表層形成工序。
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