[發(fā)明專利]涉及光子晶體光纖的熔接與連接的改進

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080045782.0
• 申請日: 2010-08-16
• 公開（公告）號: CN102687048A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發(fā)明（設計）人: M·D·馬克
• 申請（專利權）人: NKT光子學有限公司
• 主分類號: G02B6/032
• 分類號: G02B6/032
• 代理公司: 北京泛華偉業(yè)知識產(chǎn)權代理有限公司 11280
• 代理人: 王勇

1.一種光纖，至少包括具有第一端面的第一端，所述光纖包括：

(a)纖芯區(qū)，其能夠引導第一波長λ的光；及

(b)微結構包層區(qū)，其包圍所述纖芯區(qū)，所述包層區(qū)包括：

(b1)內包層區(qū)，包括布置在折射率為n₁的內包層背景材料中的內包層部件，所述內包層部件包括可熱塌陷的孔或空隙；及

(b2)外包層區(qū)，包括布置在外包層背景材料中的外包層部件，所述外包層部件包括折射率為n₂的實心材料，其中n₂低于n₁。

2.根據(jù)權利要求1所述的光纖，其中，所述內包層部件至少在橫截面尺寸和/或材料組成上不同于所述外包層部件。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的光纖，其中，所述外包層部件包括下?lián)诫s二氧化硅，例如F-摻雜二氧化硅。

4.根據(jù)權利要求1-3中任一項所述的光纖，其中，所述外包層部件基本上為實心。

5.根據(jù)權利要求1-4中任一項所述的光纖，其中，至少部分所述第一內包層部件的所述可熱塌陷的孔或空隙在所述第一端處至少部分塌陷，例如在自所述第一端面起的一塌陷長度上。

6.根據(jù)權利要求5所述的光纖，其中，所述可熱塌陷的孔或空隙的所述塌陷是朝著第一端面漸變的。

7.根據(jù)權利要求5所述的光纖，其中，所述可熱塌陷的孔或空隙的所述塌陷大體上是不連貫的。

8.根據(jù)權利要求5-7中任一項所述的光纖，其中，所述可熱塌陷的孔或空隙在所述第一端面上全部塌陷，例如沿著自所述第一端面起的所述塌陷長度。

9.根據(jù)權利要求1-8中任一項所述的光纖，其中，所述可熱塌陷的孔的所述塌陷使得在第一端面上定義了擴大的導光區(qū)，所述擴大的導光區(qū)包括纖芯區(qū)和所述內包層區(qū)中所述內包層部件塌陷的部分。

10.根據(jù)權利要求1-9中任一項所述的光纖，其中，所述內包層部件包括多個第一類部件和多個第二類部件。

11.根據(jù)權利要求10所述的光纖，其中，所述第一類部件包括橫截面尺寸為d_inner，1的空隙或孔，和/或所述第二類部件包括橫截面尺寸為d_inner，2的空隙或孔。

12.根據(jù)權利要求10或11所述的光纖，其中，大部分所述第一類部件被布置為比大部分所述第二類部件更靠近纖芯區(qū)。

13.根據(jù)權利要求10-12中任一項所述的光纖，其中，d_inner，1小于d_inner，2。

14.根據(jù)權利要求10-13中任一項所述的光纖，其中，與所述多個第二類部件相比，所述多個第一類部件在自第一端面起更長的部分上塌陷，從而所述擴大的導光區(qū)包括所述內包層區(qū)中第一類部件塌陷的部分。

15.根據(jù)權利要求14所述的光纖，其中，第一類內包層部件的塌陷是漸變的，從而在所述纖芯區(qū)傳輸?shù)墓獗唤^熱地耦合至所述擴大的導光區(qū)。

16.根據(jù)權利要求15所述的光纖，其中，當所述第一波長的光從所述纖芯區(qū)耦合至所述擴大的導光區(qū)時發(fā)生的耦合損耗小于2dB，例如小于1dB，例如小于0.5dB，例如小于0.3dB，例如小于0.2dB，例如小于0.1dB，例如小于0.05dB或更小。

17.根據(jù)權利要求1-16中任一項所述的光纖，其中，所述外包層背景材料的折射率與n₁近似。

18.根據(jù)權利要求1-16中任一項所述的光纖，其中，所述外包層背景材料的折射率與n₁不同。

19.根據(jù)權利要求1-18中任一項所述的光纖，其中，所述光纖為非線性光纖。

20.根據(jù)權利要求1-19中任一項所述的光纖，其中，光纖的纖芯區(qū)的導光模式至少在沿著所述光纖的一個位置具有小于約5微米的模場直徑，且在所述第一端面的模場直徑大于約5微米，例如大于約7微米，例如大于約9微米，例如大于約12微米，例如大于約15微米。