[發明專利]Bi-Ge-O型燒結體濺射靶及其制造方法以及光記錄介質

有效

• 申請號: 201080045590.X
• 申請日: 2010-10-04
• 公開（公告）號: CN102575339A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 奈良淳史
• 申請（專利權）人: 吉坤日礦日石金屬株式會社
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C04B35/00;G11B7/26
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 王海川;穆德駿

技術領域

本發明涉及Bi-Ge-O型燒結體濺射靶及其制造方法以及光記錄介質，特別地涉及在濺射時不產生靶的破裂，粉粒的產生少，可以穩定地制作高品質的薄膜，可以得到不產生記錄位的錯誤的光記錄介質的Bi-Ge-O型燒結體濺射靶及該靶的制造方法以及光記錄介質。

背景技術

一寫多讀型(WORM：Write?Once?Read?Many)光記錄介質，是通過藍色波長區域(350～500nm)的激光也可以進行高密度記錄的光記錄介質，特別是具有多層具有高記錄靈敏度的記錄層的光記錄介質。

光盤為了應對高密度化的要求而通過多層化進行高密度化。使用藍色LD的光盤也同樣地進行了高密度記錄用光記錄介質的開發。

為了實現可以進行高密度多層記錄的一寫多讀型光記錄介質，肯定需要具有穩定的組成、結構的材料，而且需要透光特性優良的膜，這樣的材料多數為氧化物，一般而言熔點高，因此多數情況下使用濺射法作為成膜方法。

因此，需要適合得到這樣的膜的濺射靶。但是，構成靶的化合物的形態、結構等對濺射特性也有影響，因此在將構成靶的化合物形成為適合必要的膜特性的物質時，是否可以穩定地進行良好的濺射成為問題。

使用濺射法在襯底上形成光記錄介質用薄膜時，根據靶的材料有時會產生許多粉粒，從而使品質下降。特別是對于高記錄密度介質，由粉粒等導致記錄位產生錯誤是重大的問題。由此，會成為不合格品，從而產生成品率下降的問題。

以往，作為提出的光記錄介質，提出了許多材料。例如，在專利文獻1中，記載了在襯底上至少形成有記錄層的光記錄介質，其中，記錄層的構成元素的主成分為Bi和O(氧)，含有B，并且含有選自Ge、Li、Sn、Cu、Fe、Pd、Zn、Mg、Nd、Mn和Ni中的至少一種元素X。

另外，在專利文獻2中，記載了一種一寫多讀型光記錄介質，其特征在于，記錄層含有Bi、M(M為Mg、Al、Cr、Mn、Co、Fe、Cu、Zn、Li、Si、Ge、Zr、Ti、Hf、Sn、Mo、V、Nb、Y和Ta中的至少一種元素)和氧，記錄有信息的記錄標記部含有在該記錄層中含有的元素的結晶和/或這些元素的氧化物的結晶。

此外，提出了專利文獻3至專利文獻8。其中，考慮了含有鉍(Bi)、鍺(Ge)和氧(O)的光記錄介質的組合，也記載了通過燒結體靶的濺射將這些光記錄介質成膜。但是，該Bi-Ge-O型燒結體濺射靶，存在如下問題：耐熱沖擊性弱，通過高功率進行濺射時大多會產生破裂、產生龜裂，由此產生粉粒，損害記錄膜等的品質。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2008-210492號公報

專利文獻2：日本特開2006-116948號公報

專利文獻3：日本特開2003-48375號公報

專利文獻4：日本特開2005-161831號公報

專利文獻5：日本特開2005-108396號公報

專利文獻6：日本特開2007-169779號公報

專利文獻7：日本特開2008-273167號公報

專利文獻8：日本專利第4271063號公報

發明內容

本發明的課題涉及Bi-Ge-O型燒結體濺射靶及其制造方法以及光記錄介質，特別地提供在濺射時不產生靶的破裂，粉粒的產生少，可以穩定地制作高品質的薄膜，可以得到不產生記錄位的錯誤的光記錄介質的Bi-Ge-O型燒結體濺射靶及該靶的制造方法以及光記錄介質。

為了解決上述問題，本發明人進行了廣泛深入的研究，結果發現，選擇適當組成的Bi-Ge-O型燒結體而控制結晶相，抑制靶的熱沖擊而防止靶的破裂，從而在濺射時可以有效地抑制粉粒的產生。

基于這些發現，本發明提供：

1)一種Bi-Ge-O型燒結體濺射靶，含有鉍(Bi)、鍺(Ge)和氧(O)，其特征在于，

Bi與Ge的原子數比為0.57＜(Bi/(Bi+Ge))＜0.92，并且含有Bi₁₂GeO₂₀、Bi₄Ge₃O₁₂和GeO₂三相作為結晶相。

2)如上述1)所述的燒結體濺射靶，其特征在于，通過200℃、30分鐘的加熱對靶施加熱沖擊的情況下，該熱沖擊前后的平均彎曲強度下降率為50％以下。

3)一種光記錄介質，其通過使用上述1)或2)所述的靶進行濺射而成膜。

另外，本發明提供：