[發明專利]絕緣膜形成用涂布液、使用該涂布液的絕緣膜及該涂布液中使用的化合物的制造方法無效
| 申請號: | 201080044829.1 | 申請日: | 2010-10-01 |
| 公開(公告)號: | CN102575013A | 公開(公告)日: | 2012-07-11 |
| 發明(設計)人: | 原憲司;小林純;橫田洋大;森田博;齋藤誠一 | 申請(專利權)人: | 株式會社ADEKA |
| 主分類號: | C08G77/62 | 分類號: | C08G77/62;C01B21/068;C01B21/087;C08L83/16;C09D5/25;C09D183/16;H01L21/314;H01L21/316 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 絕緣 形成 用涂布液 使用 涂布液 涂布液中 化合物 制造 方法 | ||
1.一種絕緣膜形成用涂布液,其特征在于,其含有無機聚硅氮烷和有機溶劑,在所述無機聚硅氮烷的1H-NMR譜中,來自SiH1基和SiH2基的4.5~5.3ppm的峰面積與來自SiH3基的4.3~4.5ppm的峰面積之比為4.2~50。
2.根據權利要求1所述的絕緣膜形成用涂布液,其中,所述無機聚硅氮烷的質均分子量為2000~20000。
3.根據權利要求1所述的絕緣膜形成用涂布液,其中,所述無機聚硅氮烷中質均分子量為800以下的成分的比例為20%以下。
4.根據權利要求1所述的絕緣膜形成用涂布液,其中,在所述無機聚硅氮烷的紅外光譜中,3300~3450cm-1范圍內的最大吸光度與2050~2400cm-1范圍內的最大吸光度之比為0.01~0.15。
5.根據權利要求1所述的絕緣膜形成用涂布液,其中,所述無機聚硅氮烷在波長633nm下的折射率為1.550~1.650。
6.根據權利要求1所述的絕緣膜形成用涂布液,其中,所述無機聚硅氮烷是通過使二鹵代硅烷化合物、三鹵代硅烷化合物或它們的混合物與堿反應形成加合物后使氨反應而得到的無機聚硅氮烷。
7.根據權利要求1所述的絕緣膜形成用涂布液,其中,所述有機溶劑中醇化合物、醛化合物、酮化合物、羧酸化合物及酯化合物的含量的總計為0.1質量%以下。
8.根據權利要求1所述的絕緣膜形成用涂布液,其中,所述無機聚硅氮烷的含量為5~40質量%。
9.一種絕緣膜,其特征在于,其通過權利要求1所述的絕緣膜形成用涂布液而得到。
10.根據權利要求9所述的絕緣膜,其經由500℃以上的焙燒工序而得到。
11.一種無機聚硅氮烷的制造方法,其是使二鹵代硅烷化合物、三鹵代硅烷化合物或它們的混合物與堿反應形成加合物后使該加合物與氨反應的無機聚硅氮烷的制造方法,其特征在于,
使所述加合物的溶液或分散液與氨在-50~-1℃下反應。
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