[發(fā)明專利]等離子蝕刻裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201080044693.4
• 申請(qǐng)日: 2010-08-23
• 公開（公告）號(hào): CN102549725A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 森川泰宏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社愛發(fā)科
• 主分類號(hào): H01L21/3065
• 分類號(hào): H01L21/3065
• 代理公司: 上海金盛協(xié)力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31242
• 代理人: 段迎春

1.一種等離子蝕刻裝置，通過等離子對(duì)基板進(jìn)行蝕刻，其具備：

磁場(chǎng)形成部，其包括被同心配置的至少3段的磁場(chǎng)線圈，在中段的磁場(chǎng)線圈的內(nèi)側(cè)形成沿著該磁場(chǎng)線圈的圓周方向的環(huán)狀的零磁場(chǎng)區(qū)域；

腔主體，其被插入到所述磁場(chǎng)線圈的內(nèi)側(cè)，腔主體的內(nèi)部包括所述零磁場(chǎng)區(qū)域，并且在該零磁場(chǎng)區(qū)域的下方將所述基板收納，腔主體包括頂部；

氣體供給部，其向所述腔主體的內(nèi)部供給蝕刻氣體；

高頻天線，其在所述零磁場(chǎng)區(qū)域形成感應(yīng)電場(chǎng)，生成所述蝕刻氣體的等離子；以及

電極，其被配置在所述腔主體的頂部的上方，與在所述腔主體內(nèi)生成的等離子靜電耦合。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子蝕刻裝置，

所述腔主體從最下段的磁場(chǎng)線圈的內(nèi)側(cè)插入到所述中段的磁場(chǎng)線圈的內(nèi)側(cè)，并且所述頂部將所述零磁場(chǎng)區(qū)域覆蓋。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子蝕刻裝置，

所述腔主體的頂部相比于最上段的磁場(chǎng)線圈位于下方。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3的任意一項(xiàng)所述的等離子蝕刻裝置，

所述高頻天線是被配置在所述電極上的環(huán)形天線。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4的任意一項(xiàng)所述的等離子蝕刻裝置，

所述電極由金屬線材構(gòu)成，

該電極包括：

多個(gè)第1線路，其將與所述高頻天線的同心圓內(nèi)接的四角以上的正多角形的各個(gè)頂點(diǎn)和所述圓的中心連接；以及

多個(gè)第2線路，其從各個(gè)所述第1線路分支，終端位于所述圓的圓周上，第2線路相對(duì)于與作為分支起點(diǎn)的該相關(guān)的第1線路相鄰的2個(gè)第1線路中的任意一個(gè)平行，

從各個(gè)第1線路分支的多個(gè)第2線路不與從相鄰的第1線路分支的多個(gè)第2線路交叉。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5的任意一項(xiàng)所述的等離子蝕刻裝置，

還具備位置變更單元，其使所述至少3段的磁場(chǎng)線圈向段方向位移，改變所述中段的磁力線圈和所述高頻天線之間的相對(duì)位置。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6的任意一項(xiàng)所述的等離子蝕刻裝置，

所述頂部包括與配置有所述磁場(chǎng)線圈的平面平行地積層的2個(gè)以上的平板，

所述2個(gè)以上的平板之中的最靠近所述基板的平板相對(duì)于所述腔主體能夠裝卸。