[發(fā)明專利]固態(tài)圖像拾取裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201080044580.4
• 申請(qǐng)日: 2010-09-29
• 公開（公告）號(hào): CN102576717A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 小林昌弘;山下雄一郎;大貫裕介
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 佳能株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 康建忠

1.一種包括多個(gè)像素的固態(tài)圖像拾取裝置，多個(gè)像素中的每一個(gè)包含：

光電轉(zhuǎn)換部分，被配置為根據(jù)入射光產(chǎn)生電荷；

電荷保持部分，被配置為包含在與光電轉(zhuǎn)換部分不同的部分中保持通過光電轉(zhuǎn)換部分產(chǎn)生的電荷的第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體區(qū)域；

浮置擴(kuò)散；和

傳送部分，被配置為包含控制第一半導(dǎo)體區(qū)域和浮置擴(kuò)散之間的電勢(shì)的傳送柵極電極，

其中，第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體區(qū)域被設(shè)置在第一半導(dǎo)體區(qū)域的至少一部分下方，

第二導(dǎo)電類型的第三半導(dǎo)體區(qū)域被設(shè)置在比第二半導(dǎo)體區(qū)域深的位置，該第三半導(dǎo)體區(qū)域在第一半導(dǎo)體區(qū)域的至少一部分、浮置擴(kuò)散和傳送柵極電極下方延伸，

與第二半導(dǎo)體區(qū)域的光電轉(zhuǎn)換部分側(cè)的端部相比，第三半導(dǎo)體區(qū)域的光電轉(zhuǎn)換部分側(cè)的端部遠(yuǎn)離光電轉(zhuǎn)換部分，并且，

構(gòu)成光電轉(zhuǎn)換部分的一部分的第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)域被設(shè)置在處于第二半導(dǎo)體區(qū)域的至少一部分下方并且不設(shè)置第三半導(dǎo)體區(qū)域的區(qū)域中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的固態(tài)圖像拾取裝置，其中，光電轉(zhuǎn)換部分包含第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)域和第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)域，所述第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)域被設(shè)置在所述第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)域下方并且與所述第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)域一起形成PN結(jié)，

第三半導(dǎo)體區(qū)域包含被設(shè)置在不同的深度處的多個(gè)半導(dǎo)體區(qū)域，并且，

在包含于第三半導(dǎo)體區(qū)域中的多個(gè)半導(dǎo)體區(qū)域之中，在底部的半導(dǎo)體區(qū)域延伸到形成所述光電轉(zhuǎn)換部分的所述PN結(jié)的深度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的固態(tài)圖像拾取裝置，其中，第二半導(dǎo)體區(qū)域的第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)濃度比處于浮置擴(kuò)散下方并且處于與第二半導(dǎo)體區(qū)域相同的深度處的區(qū)域的第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)濃度高。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的固態(tài)圖像拾取裝置，其中，像素被設(shè)置在第一導(dǎo)電類型的基板上，并且，

光電轉(zhuǎn)換部分和電荷保持部分之間的電荷路徑具有埋入溝道結(jié)構(gòu)。