[發(fā)明專利]去除鹵素的方法和裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080044529.3
• 申請日: 2010-10-22
• 公開（公告）號: CN102549721A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設計）人: 哈米特·辛格;桑凱特·桑特;尚-I·周;瓦希德·瓦赫迪;拉斐爾·卡塞斯;施薩拉曼·拉馬錢德蘭
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/302
• 分類號: H01L21/302;H01L21/677
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠

1.用于從晶片上去除在該晶片加工期間累積的鹵素物質的脫氣站，所述脫氣站包括：

脫氣室，其能夠生成和保持真空并且能安放所述晶片；

晶片支架，其用于將所述晶片保持在所述脫氣室中；

壓強傳感器，其與所述脫氣室聯(lián)接，用以傳感所述脫氣室中的壓強；

UV照射源，其用于當所述晶片在所述脫氣室中時用UV照射處理所述晶片；

噴射器，其與所述脫氣室聯(lián)接，用于將包含氧氣，H₂O或臭氧中的至少一種的氣體噴射到所述脫氣室中，使得所述氣體流過容納在所述脫氣室中的所述晶片；

排氣系統(tǒng)，其與所述脫氣室聯(lián)接，其中所述排氣系統(tǒng)能排空所述脫氣室以生成真空并且其中在將所述氣體噴射到所述脫氣室時，所述排氣系統(tǒng)能夠以實質上保存所述脫氣室中真空的方式移出所述氣體；

第一個晶片開口，其在所述脫氣室中，用以從所述真空室接收所述晶片；以及

多個真空密封裝置，其圍繞所述第一個晶片開口使得所述脫氣室在所述第一個晶片開口處聯(lián)接所述真空室。

2.根據(jù)權利要求1所述的脫氣站，所述UV照射源位于所述脫氣室外部并且其中所述脫氣室的至少一側是來自所述UV照射源的UV照射穿過窗口進入脫氣室到達所述晶片。

3.根據(jù)權利要求1所述的脫氣站，其中所述UV照射源位于所述脫氣室內(nèi)部。

4.根據(jù)權利要求1所述的脫氣站，其進一步包括：

隔離站，其中所述隔離站保存已在所述脫氣室中脫氣的多個晶片。

5.根據(jù)權利要求4所述的脫氣站，其中所述隔離站包括排氣系統(tǒng)，所述排氣系統(tǒng)從所述隔離站抽出空氣。

6.根據(jù)權利要求1所述的脫氣站，其中所述UV照射源距離所述晶片支架不超過30cm。

7.根據(jù)權利要求1所述的脫氣站，其中所述氣體包括臭氧。

8.根據(jù)權利要求1所述的脫氣站，其中所述氣體包括氧氣并且通過所述UV照射源提供的所述UV照射使得通過將所述UV照射應用到包含氧氣的所述氣體上而在所述脫氣室中生成臭氧。

9.根據(jù)權利要求1所述的脫氣站，其進一步包括第二個晶片開口，其在所述脫氣室中用于將所述晶片轉移到外界大氣環(huán)境中。

10.根據(jù)權利要求9所述的脫氣站，其進一步包括大氣排氣口，其能夠將所述脫氣室與大氣壓強通氣以便將晶片轉移到大氣中。

11.一種方法，其包括：

給入口真空交換室提供晶片；

在所述入口真空交換室中生成真空；

將所述晶片從所述入口真空交換室傳送到加工工具中；

在所述加工工具的加工室中加工所述晶片進而提供已加工晶片，其中所述加工在所述晶片上形成鹵素殘留物；

將所述已加工晶片轉移到所述脫氣室，其中在所述脫氣室中保持真空；

在所述脫氣室中用UV照射和包含臭氧，氧氣或H2O中至少一種的氣流處理所述已加工晶片；

停止所述氣流；

停止所述UV照射；

將所述已加工晶片從所述脫氣室中移出。

12.根據(jù)權利要求11所述的方法，其進一步包括在加工所述晶片之后以及將所述已加工晶片轉移到所述脫氣室之前，在所述加工室中對所述晶片進行脫氣步驟。

13.根據(jù)權利要求12所述的方法，其中所述在所述加工室中對所述晶片進行脫氣步驟包括：

提供含至少5％氧氣的無鹵氣體；以及

從所述含至少5％氧氣的氣體中形成等離子體。

14.根據(jù)權利要求13所述的方法，其進一步包括在所述脫氣室中釋放所述晶片，其中所述的進行脫氣步驟和所述釋放所述晶片同時發(fā)生。

15.根據(jù)權利要求14所述的方法，其中所述釋放所述晶片包括在來自所述含至少5％氧氣的氣體的所述等離子體存在的情況下在所述加工室中抬升所述晶片。

16.根據(jù)權利要求15所述的方法，其中所述無鹵氣體進一步包括氮氣，其中所述氮氣流量在所述氧氣流量的10％到20％之間。

17.根據(jù)權利要求16所述的方法，其中所述脫氣步驟去除碳殘留物。