[發(fā)明專利]熒光體及其制造方法以及使用該熒光體的發(fā)光裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080044494.3
• 申請日: 2010-08-04
• 公開（公告）號: CN102575161A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鹽井恒介;廣崎尚登;道上勇一
• 申請（專利權(quán)）人: 昭和電工株式會社;獨立行政法人物質(zhì)·材料研究機構(gòu)
• 主分類號: C09K11/64
• 分類號: C09K11/64;C09K11/80;H01L33/50
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 段承恩;楊光軍

1.一種熒光體，由通式(A_1-xR_xM₂X)_m(M₂X₄)_n表示，其中，A元素是選自Li、Na、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Gd、Lu中的一種以上的元素，R元素是選自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb中的一種以上的活化劑，M元素是選自Si、Ge、Sn、Ti、Hf、Zr、Be、B、Al、Ga、In、Tl、Zn中的一種以上的元素，X元素是選自氧和氮中的一種以上的元素，n和m是1以上的整數(shù)，x是0＜x＜1的實數(shù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光體，其特征在于，(8/5)＜n/m＜(5/3)，0＜x≤0.2。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光體，其特征在于，所述A元素是選自Ca、Sr、Ba中的一種以上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光體，其特征在于，所述R元素是Eu。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光體，其特征在于，所述M元素是選自Si、Al中的一種以上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光體，其特征在于，所述熒光體由通式(A_1-xR_x)_mSi_6n-5m-sAl_7m-4n+sO_sN_m+4n-s表示，其中，s是0≤s≤m的實數(shù)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光體，其特征在于，所述熒光材料的含有率為80體積％以上，其余量是選自β-塞隆、未反應(yīng)的氮化硅或氮化鋁、氮氧化物玻璃、SrSiAl₂N₂O₃、Sr₂Al₂Si₁₀N1₄O₄、SrSi_(10-n)Al_(18+n)O_nN_(32-n)(n≈1)、SrSi₆N₈中的一種以上。

8.一種熒光體的制造方法，其特征在于，具備：混煉起始原料制作原料混合物的混煉工序、將所述原料混合物進行燒成的燒成工序和將在前道工序中得到的原料混合物進行熱處理的熱處理工序，

所述熒光體由通式(A_1-xR_xM₂X)_m(M₂X₄)_n表示，其中，A元素是選自Li、Na、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Gd、Lu中的一種以上的元素，R元素是選自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb中的一種以上的元素，M元素是選自Si、Ge、Sn、Ti、Hf、Zr、Be、B、Al、Ga、In、Tl、Zn中的一種以上的元素，X元素是選自氧和氮中的一種以上的元素，n和m是1以上的整數(shù)，x是0＜x＜1的實數(shù)，

在所述A元素是選自采取II價的價數(shù)的元素中的一種以上的元素的情況下，所述起始原料含有選自ASi₂、ASiN₂、A₂Si₅N₈、A₃Al₂N₄、ASi₆N₈中的一種以上的原料。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的熒光體的制造方法，其特征在于，還具備：將在所述燒成工序中得到的原料混合物粉碎分級的第1粉碎分級工序、和將在所述熱處理工序中得到的原料混合物粉碎分級的第2粉碎分級工序，

所述前道工序是所述第1粉碎分級工序。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的熒光體的制造方法，其特征在于，所述起始原料含有LiSi₂N₃。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的熒光體的制造方法，其特征在于，預(yù)先合成目標(biāo)的熒光體的粉末，以其為種子添加到所述原料混合物中。