[發(fā)明專(zhuān)利]太陽(yáng)能電池設(shè)備及其制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201080044427.1
• 申請(qǐng)日: 2010-09-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102576760A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 成命錫
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L31/042
• 分類(lèi)號(hào): H01L31/042
• 代理公司: 北京鴻元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11327
• 代理人: 許向彤;林錦輝

1.一種太陽(yáng)能電池設(shè)備，包括：

襯底；

在所述襯底上的后電極層；

在所述后電極層上的光吸收層；以及

在所述光吸收層上的前電極層，

其中，在所述襯底的輪廓部分中形成凹槽。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池設(shè)備，其中，所述凹槽圍繞所述后電極層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池設(shè)備，其中，所述襯底包括：

被限定在中間部分的電池區(qū)域；以及

被限定為圍繞所述電池區(qū)域的邊緣區(qū)域，

其中，

所述后電極層被布置在所述電池區(qū)域中；并且

所述凹槽形成在所述邊緣區(qū)域中。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池設(shè)備，進(jìn)一步包括在所述凹槽中的絕緣層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池設(shè)備，進(jìn)一步包括在所述凹槽中的氧化物。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池設(shè)備，其中，氧化鈦、氧化硅或氧化鋅被布置在所述凹槽中。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池設(shè)備，進(jìn)一步包括在所述凹槽和所述襯底的側(cè)面之間的虛設(shè)結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的太陽(yáng)能電池設(shè)備，其中，所述虛設(shè)結(jié)構(gòu)包括由與所述后電極層的材料相同的材料形成的第一虛設(shè)層。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的太陽(yáng)能電池設(shè)備，其中，所述虛設(shè)結(jié)構(gòu)與所述后電極層隔開(kāi)。

10.一種太陽(yáng)能電池設(shè)備，包括：

襯底，包括電池區(qū)域和圍繞所述電池區(qū)域的邊緣區(qū)域；

在所述電池區(qū)域中的后電極層；

在所述邊緣區(qū)域中的絕緣層；

在所述后電極層上的光吸收層；以及

在所述光吸收層上的前電極層。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的太陽(yáng)能電池設(shè)備，其中，所述后電極層和所述絕緣層被布置在相同平面上。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的太陽(yáng)能電池設(shè)備，其中，所述后電極層和所述絕緣層直接接觸所述襯底的上側(cè)。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的太陽(yáng)能電池設(shè)備，其中，所述絕緣層圍繞所述后電極層。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的太陽(yáng)能電池設(shè)備，其中，所述后電極層、所述光吸收層和所述前電極層的輪廓與所述電池區(qū)域的輪廓相對(duì)應(yīng)。

15.一種太陽(yáng)能電池設(shè)備的制造方法，包括：

在襯底上形成犧牲成層；

在所述襯底和所述犧牲層上形成后電極層；

在所述后電極層上形成光吸收層；

在所述光吸收層上形成前電極層；以及

去除所述犧牲層的一部分或全部、所述后電極層的輪廓部分、所述光吸收層的輪廓部分以及所述前電極層的輪廓部分。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，

所述襯底包括電池區(qū)域和圍繞所述電池區(qū)域的邊緣區(qū)域；

在所述邊緣區(qū)域中形成凹槽；以及

在所述凹槽中形成所述犧牲層。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述犧牲層具有閉合環(huán)形狀。

18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述犧牲層包括氧化物。

19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，通過(guò)機(jī)械方法同時(shí)去除所述犧牲層的所述一部分或全部、所述后電極層的所述輪廓部分、所述光吸收層的所述輪廓部分以及所述前電極層的所述輪廓部分。