[發(fā)明專利]全固態(tài)電化學(xué)雙層超級(jí)電容器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201080044266.6 | 申請(qǐng)日： | 2010-08-03 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102598173A | 公開(kāi)（公告）日： | 2012-07-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 維爾訥·奧斯卡·馬蒂恩森(已去世);格林·杰里米·雷諾茲 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | OC歐瑞康巴爾斯公司;羅莎琳達(dá)·馬蒂恩森 |
| 主分類號(hào)： | H01G9/058 | 分類號(hào)： | H01G9/058;H01G9/155;H01M10/00 |
| 代理公司： | 北京英賽嘉華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11204 | 代理人： | 余朦;王艷春 |
| 地址： | 列支敦士*** | 國(guó)省代碼： | 列支敦士登;LI |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 固態(tài) 電化學(xué) 雙層 超級(jí) 電容器 | ||
1.一種制造類似超級(jí)電容器的電子電池的方法，所述方法包括：
提供基板；
在所述基板上形成第一集電器；
在所述第一集電器上形成第一電極，所述第一電極由第一固態(tài)電解質(zhì)和第一導(dǎo)電材料形成，所述第一導(dǎo)電材料使所述第一固態(tài)電解質(zhì)中所包含的移動(dòng)離子不可逆，所述第一導(dǎo)電材料超過(guò)滲透極限；
在所述第一電極上形成電解質(zhì)；
在所述電解質(zhì)上形成第二電極，所述第二電極由第二固態(tài)電解質(zhì)和第二導(dǎo)電材料形成，所述第二導(dǎo)電材料使所述第二固態(tài)電解質(zhì)中所包含的移動(dòng)離子不可逆，所述第二導(dǎo)電材料超過(guò)滲透極限；以及
在所述第二電極上形成第二集電器。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括：在所述第二集電器、所述第二電極、所述電解質(zhì)、所述第一電極以及所述第一集電器上形成封裝層。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述封裝層還包括有機(jī)聚合物。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述封裝層還包括無(wú)機(jī)材料。
5.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，還包括將金屬覆蓋層施加于所述封裝層。
6.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述封裝層還包括多種封裝材料的一次或多重涂覆。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一集電器還包括由不同材料構(gòu)成的至少兩層。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第二集電器還包括由不同材料構(gòu)成的至少兩層。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一固態(tài)電解質(zhì)具有相對(duì)于所述第一導(dǎo)電材料的比率，使得電化學(xué)雙層圍繞導(dǎo)體的每個(gè)納米顆粒的表面原子形成。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一固態(tài)電解質(zhì)和所述第一導(dǎo)電材料在納米級(jí)別下緊密地混合，以確保有最大數(shù)量的導(dǎo)電原子或分子鄰接固態(tài)電解質(zhì)分子。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述電解質(zhì)還包括單一絕緣成分。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述電解質(zhì)還包括多成分納米結(jié)構(gòu)。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述電解質(zhì)還包括納米復(fù)合材料。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述納米復(fù)合材料還包括：
鐵電材料；以及
電解質(zhì)材料。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述鐵電材料還可包括弛豫鐵電材料。
16.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述電解質(zhì)具有范圍為100埃至2微米的厚度。
17.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述電解質(zhì)還可包括同步共沉積多相材料。
18.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一電極還包括同步共沉積多相材料。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述第二電極還包括同步共沉積多相材料。
20.一種制造電容器的方法，包括：
提供基板；
在所述基板上形成第一集電器；
在所述第一集電器上形成第一電極，所述第一電極由第一固態(tài)電解質(zhì)和第一導(dǎo)電材料形成，所述第一導(dǎo)電材料具有第一表面，所述第一表面與所述第一固態(tài)電解質(zhì)中所包含的移動(dòng)離子起化學(xué)反應(yīng)，所述化學(xué)反應(yīng)局限于所述第一表面，所述第一導(dǎo)電材料超過(guò)滲透極限；
在所述第一電極上形成電解質(zhì)；
在所述電解質(zhì)上形成第二電極；以及
在所述第二電極上形成第二集電器。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，其中，所述第二電極還包括第二固態(tài)電解質(zhì)和第二導(dǎo)電材料，所述第二導(dǎo)電材料使所述第二固態(tài)電解質(zhì)中所包含的移動(dòng)離子不可逆，所述第二導(dǎo)電材料超過(guò)滲透極限。
22.如權(quán)利要求20所述的方法，其中，所述第二電極還包括第二固態(tài)電解質(zhì)和第二導(dǎo)電材料，所述第二導(dǎo)電材料使所述第二固態(tài)電解質(zhì)中所包含的移動(dòng)離子可逆，所述第二導(dǎo)電材料超過(guò)滲透極限。
23.如權(quán)利要求22所述的方法，其中，所述第二導(dǎo)電材料還包括在所述電容器的制造和操作期間所經(jīng)歷的溫度下，與所述電解質(zhì)中所包含的移動(dòng)離子種類形成合金。
24.如權(quán)利要求20所述的方法，其中，所述第二電極還包括第二固態(tài)電解質(zhì)和第二導(dǎo)電材料，所述第二導(dǎo)電材料具有第二表面，所述第二表面與所述第二固態(tài)電解質(zhì)中所包含的移動(dòng)離子起化學(xué)反應(yīng)，所述化學(xué)反應(yīng)局限于所述第二表面，所述第二導(dǎo)電材料超過(guò)滲透極限。
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