[發明專利]制作半導體發光元件的方法

無效

• 申請號: 201080043799.2
• 申請日: 2010-09-22
• 公開（公告）號: CN102549781A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 京野孝史;鹽谷陽平;善積祐介;秋田勝史;上野昌紀;住友隆道;足立真寬;德山慎司
• 申請（專利權）人: 住友電氣工業株式會社
• 主分類號: H01L33/32
• 分類號: H01L33/32;H01S5/343
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 謝麗娜;關兆輝

技術領域

本發明涉及一種制作半導體發光元件的方法。

背景技術

非專利文獻1中記載有一種使用GaN基板的發光二極管。該發光二極管形成于GaN基板的(11-2-2)面上。該(11-2-2)面顯示半極性。發光二極管具有由InGaN/GaN構成的單一量子阱構造的發光層，其發光波長為600nm。

非專利文獻2中記載有一種使用GaN基板的激光二極管。該激光二極管形成于GaN基板的(10-1-1)面上。該(10-1-1)面顯示半極性。激光二極管具有由InGaN/GaN構成的多重量子阱構造的發光層，其發光波長為405.9nm(藍紫色)。

在先技術文獻

非專利文獻

非專利文獻1：Mitsuru?FUNATO?et.al.“Blue，Green，and?Amber?InGaN/GaN?Light-Emitting?Diodes?on?Semipolar{11-22}GaN?Bulk?Substrates”，Japanese?Journal?of?Applied?Physics，Vol.45，No.26，2006，pp.L659-L662，

非專利文獻2：Anurag?TYAGI?et.al.“Semipolar(10-1-1)InGaN/GaN?Laser?Diodes?on?Bulk?GaN?Substrates，”Japanese?Journal?of?Applied?Physics，Vol.46，No.19，2007，pp.L444-L445

發明內容

發明要解決的問題

如非專利文獻1及非專利文獻2所示，在GaN基板的半極性面上制作氮化鎵系半導體發光元件。氮化鎵系半導體顯示壓電極化，其影響涉及發光特性的各個層面。

另一方面，在c面上制作的發光元件中，壓電極化會引起以藍移為代表的發光波長的移位，從而會引起空穴的波動函數與電子的波動函數的空間分離而使發光效率降低。但是，根據發明人等的見解，并非壓電極化一概為零就對發光元件較佳，也有通過壓電極化的利用可改善發光特性的情形。即，壓電極化的影響在發光特性中不只是表現在單一的側面，也可能表現在若干個側面上，此時，有期望將若干個發光特性中的某個特性優化的情形，也有期望將折衷關系的若干個發光特性各自調整好的情形。

壓電極化與內含于結晶內的應變相關。發光元件的發光層的應力依賴于用于半導體發光元件的基板主面的面取向、生長于該基板主面上的半導體疊層的構造。此外，發光特性與例如發光層的壓電極化的朝向相關聯。因此，關于壓電極化的朝向，在適用于發光元件的實際的半導體疊層中，并不容易實驗性地預測壓電極化的朝向。

本發明在于提供一種可將活性層的壓電極化的朝向選擇為適宜方向的制作半導體發光元件的方法。

用于解決問題的技術手段