[發(fā)明專利]結(jié)構(gòu)體及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201080043564.3
• 申請(qǐng)日: 2010-09-28
• 公開（公告）號(hào): CN102550138A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林桂
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京瓷株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H05K3/46
• 分類號(hào): H05K3/46;H05K1/02;H05K1/03
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 蔣亭

1.一種結(jié)構(gòu)體，其具有包含無定形狀態(tài)的氧化硅、且彈性模量為45GPa以下的無機(jī)絕緣層。

2.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)體，其中，

所述無機(jī)絕緣層具有相互連接的第1無機(jī)絕緣粒子、以及粒徑比該第1無機(jī)絕緣粒子大且經(jīng)由所述第1無機(jī)絕緣粒子相互連接的第2無機(jī)絕緣粒子。

3.如權(quán)利要求2所述的結(jié)構(gòu)體，其中，

所述第1無機(jī)絕緣粒子的彈性模量比所述第2無機(jī)絕緣粒子的彈性模量小。

4.如權(quán)利要求2所述的結(jié)構(gòu)體，其中，

所述無機(jī)絕緣層的拉曼位移在600cm^-1以上620cm^-1以下的范圍中的拉曼散射強(qiáng)度的峰的值比所述第2無機(jī)絕緣粒子的拉曼位移在600cm^-1以上620cm^-1以下的范圍中的拉曼散射強(qiáng)度的峰的值小。

5.如權(quán)利要求2所述的結(jié)構(gòu)體，其中，

所述第1無機(jī)絕緣粒子的多元結(jié)構(gòu)中的3元環(huán)結(jié)構(gòu)所占的比例比所述第2無機(jī)絕緣粒子的多元結(jié)構(gòu)中的3元環(huán)結(jié)構(gòu)所占的比例小。

6.如權(quán)利要求2所述的結(jié)構(gòu)體，其中，

所述第1無機(jī)絕緣粒子的粒徑為3nm以上110nm以下。

7.如權(quán)利要求6所述的結(jié)構(gòu)體，其中，

所述第2無機(jī)絕緣粒子的粒徑為0.5μm以上5μm以下。

8.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)體，其中，

還具有在所述無機(jī)絕緣層上配置的第1樹脂層。

9.如權(quán)利要求8所述的結(jié)構(gòu)體，其中，

還具有在所述第1樹脂層上部分地形成的導(dǎo)電層。

10.如權(quán)利要求9所述的結(jié)構(gòu)體，其中，

還具有在所述第1樹脂層的未形成所述導(dǎo)電層的區(qū)域上形成的第2樹脂層，

所述導(dǎo)電層的一個(gè)主面與第1樹脂層抵接，側(cè)面及另一主面與第2樹脂層抵接，所述第1樹脂層與所述第2樹脂層相比厚度小，并且彈性模量低。

11.如權(quán)利要求10所述的結(jié)構(gòu)體，其中，

將所述無機(jī)絕緣層多層層疊，鄰接的所述無機(jī)絕緣層經(jīng)由所述第1和第2樹脂層相互連接。

12.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)體，其中，所述無機(jī)絕緣層的彈性模量為10GPa以上。

13.如權(quán)利要求12所述的結(jié)構(gòu)體，其中，所述無機(jī)絕緣層的硬度為0.5GPa以上4GPa以下。

14.一種結(jié)構(gòu)體的制造方法，其具有：

將包含含有無定形狀態(tài)的氧化硅的無機(jī)絕緣粒子的無機(jī)絕緣溶膠涂布的工序，以及

通過在低于氧化硅的結(jié)晶化開始溫度的條件下加熱所述無機(jī)絕緣粒子而使它們相互連接，從而形成包含無定形狀態(tài)的氧化硅、且彈性模量為45GPa以下的無機(jī)絕緣層的工序。