[發明專利]氮化物系半導體發光元件、照明裝置、液晶顯示裝置以及照明裝置的制造方法

無效

• 申請號: 201080042883.2
• 申請日: 2010-12-07
• 公開（公告）號: CN102648535A
• 公開（公告）日: 2012-08-22
• 發明（設計）人: 橫川俊哉;井上彰;藤金正樹;大屋滿明;山田篤志;矢野正
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H01L33/32
• 分類號: H01L33/32;G02F1/13357
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 汪惠民

1.一種照明裝置，是至少具備第一氮化物系半導體發光元件以及第二氮化物系半導體發光元件的照明裝置，

上述第一氮化物系半導體發光元件以及上述第二氮化物系半導體發光元件各自都具備半導體芯片，

上述半導體芯片包括由Al_xIn_yGa_zN半導體形成的氮化物系半導體層疊構造，上述氮化物系半導體層疊構造包括由氮化物半導體層構成的活性層區域，其中，x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0，

上述活性層區域從m面傾斜1°以上的角度，上述活性層區域中的主面的法線和m面的法線形成的角度為1°以上且5°以下，

上述第一氮化物系半導體發光元件以及上述第二氮化物系半導體發光元件分別從上述活性層區域射出偏振光，

在設上述第一氮化物系半導體發光元件以及上述第二氮化物系半導體發光元件射出的偏振光的波長分別為λ1以及λ2，設上述第一氮化物系半導體發光元件以及上述第二氮化物系半導體發光元件的半導體芯片的厚度分別為d1以及d2時，滿足如下關系：

λ1＜λ2且d1＜d2。

2.根據權利要求1所述的照明裝置，其中，

上述活性層區域向c軸方向或a軸方向傾斜。

3.根據權利要求1所述的照明裝置，其中，

該照明裝置還包括具備上述半導體芯片的第三氮化物系半導體發光元件，

在設上述第三氮化物系半導體發光元件射出的偏振光的波長為λ3，設上述第三氮化物系半導體發光元件的半導體芯片的厚度為d3時，滿足如下關系：

λ1＜λ2＜λ3且d1＜d2＜d3。

4.根據權利要求3所述的照明裝置，其中，

上述第一氮化物半導體發光元件、上述第二氮化物半導體發光元件、以及上述第三氮化物系半導體發光元件射出的偏振光的偏振方向統一成同一方向。

5.根據權利要求3所述的照明裝置，其中，

該照明裝置還具有支撐基板，

上述第一氮化物系半導體發光元件、上述第二氮化物系半導體發光元件、以及上述第三氮化物系半導體發光元件被支持在上述支撐基板上。

6.根據權利要求3所述的照明裝置，其中，

上述λ1、λ2、以及λ3分別是藍色區域、綠色區域、以及紅色區域的波長。

7.根據權利要求6所述的照明裝置，其中，

上述λ1、λ2、以及λ3分別為420nm以上且470nm以下、520nm以上且560nm以下、以及590nm以上且660nm以下。

8.根據權利要求3所述的照明裝置，其中，

上述d1、d2、以及d3分別為110μm以上且150μm以下、200μm以上且240μm以下、以及250μm以上且290μm以下。

9.根據權利要求1所述的照明裝置，其中，

該照明裝置還包括：

AlGaInP系發光元件；和

偏振濾光片，其設置在從上述AlGaInP系發光元件射出的光透過的位置處，

上述λ1以及上述λ2分別是藍色區域以及綠色區域的波長。

10.根據權利要求9所述的照明裝置，其中，

上述d1以及上述d2分別為110μm以上且150μm以下、以及200μm以上且240μm以下。

11.根據權利要求9所述的照明裝置，其中，

上述λ1以及上述λ2分別為420nm以上且470nm以下、以及520nm以上且560nm以下。

12.根據權利要求1所述的照明裝置，其中，

上述第一氮化物系半導體發光元件以及上述第二氮化物系半導體發光元件各自具有設置在上述氮化物系半導體層疊構造的一部分的由Mg或Mg合金形成的p型電極。

13.根據權利要求1所述的照明裝置，其中，

該照明裝置還包括一對光學透鏡，該一對光學透鏡分別對從上述第一氮化物系半導體發光元件以及上述第二氮化物系半導體發光元件射出的偏振光進行聚光。

14.根據權利要求1所述的照明裝置，其中，

該照明裝置還包括光學透鏡，該光學透鏡公共地對從上述第一氮化物系半導體發光元件以及上述第二氮化物系半導體發光元件射出的偏振光進行聚光。