[發(fā)明專利]納米粒子材料的制造方法、納米粒子材料以及光電轉換器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201080042600.4 | 申請日： | 2010-09-14 |
| 公開（公告）號： | CN102576747A | 公開（公告）日： | 2012-07-11 |
| 發(fā)明（設計）人： | 村山浩二 | 申請（專利權）人： | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號： | H01L31/04 | 分類號： | H01L31/04;B82B1/00;B82B3/00;H01L51/42 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 金世煜;苗堃 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 納米 粒子 材料 制造 方法 以及 光電 轉換 器件 | ||
1.一種納米粒子材料的制造方法，其特征在于，包括以下工序：
超微粒子膜形成工序，形成用具有空穴輸送性和電子輸送性中的任一種輸送性的表面活性劑覆蓋的超微粒子膜；及
浸漬工序，將在該超微粒子膜形成工序中形成的超微粒子膜浸漬于含有具有與所述一種輸送性不同的另一種輸送性的表面活性劑的分散溶液中，形成用所述空穴輸送性和所述電子輸送性這兩種表面活性劑覆蓋的超微粒子膜。
2.如權利要求1所述的納米粒子材料的制造方法，其特征在于，所述浸漬工序是將具有所述一種輸送性的表面活性劑的一部分與具有所述另一種輸送性的表面活性劑進行置換，使具有所述空穴輸送性的表面活性劑和具有所述電子輸送性的表面活性劑并存。
3.如權利要求1或2所述的納米粒子材料的制造方法，其特征在于，所述超微粒子膜包含氧化物、化合物半導體及單體半導體。
4.一種納米粒子材料，其特征在于，是以權利要求1～3中任一項的方法制作的。
5.如權利要求4所述的納米粒子材料，其特征在于，空穴輸送性表面活性劑具有與作為超微粒子的量子點的價帶進行共振隧穿的HOMO能級。
6.如權利要求4或5所述的納米粒子材料，其特征在于，電子輸送性表面活性劑具有與作為超微粒子的量子點的導帶進行共振隧穿的LUMO能級。
7.一種光電轉換器件，其特征在于，量子點層介于第1電極和第2電極之間，
其中，所述量子點層是用權利要求4～6中任一項所述的納米粒子材料形成的。
8.如權利要求7所述的光電轉換器件，其特征在于，在所述第1電極和所述第2電極中的任一電極與所述量子點層之間形成有電子輸送層，在另一電極與所述量子點層之間形成有空穴輸送層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
