[發明專利]讀取及使用存儲器單元的方法

有效

• 申請號: 201080041969.3
• 申請日: 2010-08-18
• 公開（公告）號: CN102498521A
• 公開（公告）日: 2012-06-13
• 發明（設計）人: 巴斯卡爾·斯里尼瓦桑;古爾特杰·S·桑胡
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C16/26
• 分類號: G11C16/26;G11C16/32;G11C16/10
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 宋獻濤

1.一種讀取存儲器單元的方法，其包括：

提供具有頻率相依寫入操作的存儲器單元；及

以比所述寫入操作的最大頻率快至少一數量級的頻率讀取所述存儲器單元。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述存儲器單元包括非歐姆裝置。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述存儲器單元包括與憶阻器電串聯的非歐姆裝置。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述存儲器單元包括憶阻器。

5.根據權利要求4所述的方法，其中所述憶阻器包括氧化鈦。

6.根據權利要求4所述的方法，其中所述憶阻器包括氧化鉿及氧化鋯中的一者或兩者。

7.根據權利要求1所述的方法，其中：

所述寫入操作包括所述存儲器單元從一個存儲器狀態到另一存儲器狀態的改變，且在將寫入電壓施加到所述存儲器單元時發生；且

以具有小于所述寫入電壓的絕對值的絕對值的電壓來實施所述讀取。

8.根據權利要求7所述的方法，其中給在所述存儲器單元處交叉的兩個正交線提供所述讀取的所述電壓，其中所述線中的每一者載運用于所述讀取的所述電壓的一部分。

9.根據權利要求1所述的方法，其中：

所述寫入操作包括所述存儲器單元從一個存儲器狀態到另一存儲器狀態的改變，且在將寫入電壓施加到所述存儲器單元時發生；且

以具有至少等于所述寫入電壓的絕對值的絕對值的電壓來實施所述讀取。

10.根據權利要求9所述的方法，其中給在所述存儲器單元處交叉的兩個正交線提供所述讀取的所述電壓，其中所述線中的每一者載運用于所述讀取的所述電壓的一部分。

11.一種讀取存儲器單元的方法，其包括：

提供具有寫入操作的存儲器單元，所述寫入操作在寫入電壓下發生且包括施加所述寫入電壓的時間與完成所述寫入操作的時間之間的滯后；及

以比所述滯后快且在具有至少等于所述寫入電壓的絕對值的絕對值的讀取電壓下發生的脈沖讀取所述存儲器單元。

12.根據權利要求11所述的方法，其中所述讀取電壓的所述絕對值超過所述寫入電壓的所述絕對值。

13.根據權利要求11所述的方法，其中所述存儲器單元包括非歐姆裝置。

14.根據權利要求11所述的方法，其中所述存儲器單元包括與憶阻器電串聯的非歐姆裝置。

15.根據權利要求11所述的方法，其中所述存儲器單元包括憶阻器。

16.根據權利要求11所述的方法，其中所述存儲器單元為等同存儲器單元陣列的部分；且其中給在所述存儲器單元處交叉的兩個正交線提供所述讀取電壓，其中所述線中的每一者載運所述讀取電壓的一部分。

17.根據權利要求16所述的方法，其中給在所述存儲器單元處交叉的相同的兩個正交線提供所述寫入電壓，其中所述線中的每一者載運所述寫入電壓的一部分。

18.一種讀取含憶阻器存儲器單元的方法，其包括：

將所述含憶阻器存儲器單元提供為具有僅在施加足夠絕對值的電壓達足夠持續時間脈沖的情況下發生的寫入操作；及

以比所述寫入操作的所述足夠持續時間短的脈沖讀取所述存儲器單元。

19.根據權利要求18所述的方法，其中所述存儲器單元包括與二極管電串聯的憶阻器，且其中所述讀取包括使電壓穿過所述二極管及憶阻器。

20.根據權利要求18所述的方法，其中所述憶阻器包括氧化鈦。

21.根據權利要求18所述的方法，其中所述憶阻器包括氧化鉿及氧化鋯中的一者或兩者。

22.根據權利要求18所述的方法，其中以具有小于所述寫入操作的所述足夠絕對值的絕對值的電壓來實施所述讀取。

23.根據權利要求18所述的方法，其中以具有等于或超過所述寫入操作的所述足夠絕對值的絕對值的電壓來實施所述讀取。