[發明專利]半導體接合用粘接劑、半導體接合用粘接膜、半導體芯片的安裝方法及半導體裝置有效
| 申請號: | 201080041801.2 | 申請日: | 2010-03-18 |
| 公開(公告)號: | CN102598235A | 公開(公告)日: | 2012-07-18 |
| 發明(設計)人: | 李洋洙;脅岡紗香;中山篤;卡爾·阿爾文·迪朗 | 申請(專利權)人: | 積水化學工業株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;C09J7/00;C09J11/04;C09J163/00;H01L21/52 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 蔣亭 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 接合 用粘接劑 用粘接膜 芯片 安裝 方法 裝置 | ||
1.一種半導體接合用粘接劑,其特征在于,含有環氧樹脂、無機填料及固化劑,其中,
所述無機填料在半導體接合用粘接劑中的含量為30~70重量%,且含有平均粒徑低于0.1μm的填料A和平均粒徑為0.1μm以上且低于1μm的填料B,
所述填料A相對于所述填料B的重量比為1/9~6/4。
2.根據權利要求1所述的半導體接合用粘接劑,其特征在于,
所述無機填料為球狀二氧化硅。
3.一種半導體接合用粘接劑,其特征在于,含有環氧樹脂、無機填料和固化劑,其中,
所述環氧樹脂和所述無機填料的折射率之差為0.1以下。
4.根據權利要求3所述的半導體接合用粘接劑,其特征在于,
所述無機填料為選自由硅、鈦、鋁、鈣、硼、鎂及鋯的氧化物及它們的復合物構成的組中的至少一種填料。
5.根據權利要求1、2、3或4所述的半導體接合用粘接劑,其特征在于,
所述無機填料利用偶聯劑進行了表面處理。
6.根據權利要求1、2、3、4或5所述的半導體接合用粘接劑,其特征在于,
所述固化劑為具有雙環骨架的酸酐,且還含有在常溫下為液態的咪唑化合物作為固化促進劑。
7.根據權利要求6所述的半導體接合用粘接劑,其特征在于,
所述具有雙環骨架的酸酐為具有下述通式(a)所示的結構的化合物,
[化學式1]
通式(a)中,X表示單鍵或雙鍵的連接基團,R1表示亞甲基或亞乙基,R2及R3表示氫原子、鹵素基團、烷氧基或烴基。
8.根據權利要求1、2、3、4、5、6或7所述的半導體接合用粘接劑,其特征在于,
還含有具有與環氧樹脂反應的官能團的高分子化合物。
9.一種半導體接合用粘接膜,其特征在于,
具有由權利要求1、2、3、4、5、6、7或8所述的半導體接合用粘接劑形成的粘接劑層和基材層。
10.一種半導體芯片的安裝方法,其特征在于,所述方法使用具有由權利要求1、2、3、4、5、6、7或8所述的半導體接合用粘接劑形成的粘接劑層和基材層的半導體接合用粘接膜,
具有以下工序:
工序1,貼合所述半導體接合用粘接膜的粘接劑層和在表面上形成有突起電極的晶片的突起電極形成面;
工序2,在固定于所述半導體接合用粘接膜的狀態下將所述晶片從背面進行磨削;
工序3,從貼合在所述磨削后的晶片上的所述半導體接合用粘接膜上將基材膜剝離,得到附著有粘接劑層的晶片;
工序4,使照相機自動識別附著有所述粘接劑層的晶片表面的切割線,沿著所述切割線切割附著有所述粘接劑層的晶片,單片化為附著有粘接劑層的半導體芯片;
工序5,使照相機自動識別附著有所述粘接劑層的半導體芯片的圖案或位置顯示以及基板或其它的半導體芯片的圖案或位置顯示來進行對位,再借助粘接劑層將附著有所述粘接劑層的半導體芯片粘接于所述基板或其它的半導體芯片,由此來安裝半導體芯片。
11.根據權利要求10所述的半導體芯片的安裝方法,其特征在于,
在利用工序5安裝了半導體芯片后,還具有通過加熱使粘接劑層完全固化的工序6。
12.一種半導體裝置,其特征在于,是使用權利要求10或11所述的半導體芯片的安裝方法而制造的。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





