[發明專利]高效率非晶/微晶堆疊串聯電池

無效

• 申請號: 201080041574.3
• 申請日: 2010-09-17
• 公開（公告）號: CN102782882A
• 公開（公告）日: 2012-11-14
• 發明（設計）人: E·瓦拉特-紹瓦因;D·博雷洛;J·拜拉特;J·邁爾;U·克羅爾;S·貝納格利;C·盧西;G·蒙特杜羅;M·馬梅洛;J·赫策爾;Y·德杰里丹;J·施泰因豪澤;J-B·奧爾漢
• 申請（專利權）人: 歐瑞康太陽能股份公司(特呂巴赫)
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/076
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 劉春元;盧江

1.一種用于制造非晶/微晶堆疊串聯電池的方法，該非晶/微晶堆疊串聯電池包括μc-Si:H底部電池與a-Si:H頂部電池、LPCVD?ZnO正面接觸層及ZnO背面接觸結合白反射體，該方法包括下列步驟：

將AR-抗反射-概念應用于該非晶/微晶堆疊串聯電池；

在該非晶/微晶堆疊串聯電池中實施中間反射體。

2.如權利要求1所述的方法，其中，以下其中至少之一適用：

—非晶與微晶硅是通過PECVD在40.68MHz的激發能下沉積的；

—非晶與微晶硅是通過KAI-M反應器沉積的；

—該非晶/微晶堆疊串聯電池具有10.6％的穩定效率；

—該微晶底部電池具有0.8微米的厚度；

—頂部與底部電池的總體硅吸收體層大約是1微米厚；

—該中間反射體具有1.68的折射率。

3.如權利要求1或權利要求2所述的方法，所述非晶/微晶堆疊串聯電池包括具有玻璃/空氣界面的基板/p-i-n結結構，所述玻璃/空氣界面具有抗反射能力，所述方法包括提供具有玻璃/空氣界面的玻璃基板/p-i-n結結構，并且接著DART蝕刻所述空氣/玻璃界面的所述玻璃表面，以提供所述抗反射(AR)以及期望的光散射能力(D)。

4.如權利要求3所述的方法，其中，在第一時間間隔期間執行蝕刻以提供抗反射能力(AR)，并且在經選定的第二時間間隔期間額外地執行所述蝕刻以額外地(AR+D)提供增加的光散射量。

5.如權利要求3或權利要求4所述的方法，包括以下特征中的至少一個：

—所述玻璃基板/p-i-n結結構包含第一電極、一個或多個半導體薄膜p-i-n或n-i-p結、以及第二電極，其順序地堆疊于所述基板上，尤其是所述LPCVD?ZnO正面接觸層、所述μc-Si:H底部電池，所述a-Si:H頂部電池、以及ZnO背面接觸順序地堆疊于所述基板上；

—所述玻璃基板/p-i-n結結構包含透明的玻璃基板，所述透明的玻璃基板具有沉積于其上的透明導電氧化物層，尤其是具有沉積于其上的所述LPCVD?ZnO正面接觸層；

—在提供所述玻璃基板/p-i-n結結構之后，通過蝕刻建立抗反射與散射能力。

6.如權利要求4及權利要求5之一所述的方法，進一步包括以下步驟：僅在所述第二時間間隔期間執行所述蝕刻之前，透過所述玻璃/空氣界面執行激光圖案化的步驟。

7.如權利要求3至權利要求6之一所述的方法，其中，通過反應離子蝕刻執行所述蝕刻。

8.如權利要求3至權利要求7之一所述的方法，包括通過下述來保護所述p-i-n結結構，尤其是所述a-Si:H頂部電池，避免其受到所述蝕刻所述玻璃表面的影響的步驟：

—暫時的機械裝置，優選地是具有夾固框架的載體裝設，其中，所述框架提供密封裝置，其允許僅暴露出需要被蝕刻的所述玻璃表面；或者通過

—可移除的粘性膜或可移除的涂料，優選地是，白反射體涂料。

9.如前述權利要求之一所述的方法，其中，所述非晶/微晶堆疊串聯電池包括：

—基板；以及

—第一電極，尤其是所述LPCVD?ZnO正面接觸層、一個或多個半導體薄膜p-i-n或n-i-p結，尤其是所述μc-Si:H底部電池與所述a-Si:H頂部電池、以及第二電極，尤其是所述ZnO背面接觸，其順序地堆疊于所述基板上；

其中，所述方法包括：

—提供所述基板以及堆疊于所述基板上的所述第一電極與所述至少一個結；

—使所述結的表面經受被控制的氧化，以便透過所述至少一個結去活泄漏邊界；

—將所述第二電極直接地或間接地施加于已經受所述氧化的所述表面上方。