[發(fā)明專利]制造基于硅的薄膜太陽能電池的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080041572.4
• 申請日: 2010-09-09
• 公開（公告）號: CN102844891A
• 公開（公告）日: 2012-12-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: J·拜拉特;E·瓦拉特-紹瓦因;D·博雷洛;S·貝納格利
• 申請（專利權(quán)）人: 歐瑞康太陽能股份公司(特呂巴赫)
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/075;H01L31/0747;H01L31/0368;H01L31/20;H01L31/0376
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 劉春元;盧江

1.一種制造基于硅的薄膜太陽能電池的方法，該太陽能電池包括：

●基板；

●所述基板上的第一電極層，其包含透明導(dǎo)電氧化物；

●所述第一電極層上的堆疊層，其包含正摻雜半導(dǎo)體層、本征半導(dǎo)體層及負(fù)摻雜半導(dǎo)體層以及第二電極層；

所述方法包含以下步驟：

●提供所述基板；

●在所述基板上沉積所述第一電極層，該第一電極層包含所述透明導(dǎo)電氧化物并具有表面；

●在第一時間間隔期間由第一真空處理工藝處理所述表面；

●由在第二時間間隔期間在包含氣態(tài)摻雜物的工藝氣氛中執(zhí)行的第二真空工藝在由所述第一真空處理工藝所處理的所述表面上沉積所述正摻雜層及所述負(fù)摻雜層之一；

●在包含氣態(tài)摻雜物的工藝氣氛中執(zhí)行所述第一真空處理工藝，該氣態(tài)摻雜物與在所述第二真空工藝的所述氣氛中包含的量不同，但是在其它方面執(zhí)行與所述第二真空工藝相同的所述第一真空處理工藝，并選擇比所述第二時間間隔短的所述第一時間間隔。

2.如權(quán)利要求1的方法，其包含在包含SiH₄及H₂以及氣態(tài)摻雜物的氣氛中，作為真空等離子體處理工藝執(zhí)行所述第一真空處理工藝，該氣態(tài)摻雜物濃度介于存在于所述第二真空工藝的氣氛中的氣態(tài)摻雜物濃度的0％到80％之間，優(yōu)選是介于0％到20％之間，由此，優(yōu)選地由所述第二真空工藝沉積所述正摻雜半導(dǎo)體層。

3.如權(quán)利要求1的方法，其包含由所述第二真空工藝沉積微晶氫化硅的正摻雜層作為所述一個層，由此執(zhí)行適于微晶材料沉積的所述第二真空工藝，以及在無氣態(tài)摻雜物的氣氛中執(zhí)行所述第一真空處理工藝，以及優(yōu)選地在包含氫化碳化硅的工藝氣氛中在所述氫化微晶硅的正摻雜層上沉積硅與碳的合金的非晶正摻雜層，其中進(jìn)一步優(yōu)選地所述第二真空工藝是真空等離子體工藝。

4.如權(quán)利要求1的方法，其中所述第二真空工藝是真空等離子體工藝。

5.如權(quán)利要求1的方法，其中所述第一時間間隔被選擇成介于該第一及第二時間間隔的和的5％到20％之間，并且其中優(yōu)選地所述第二真空工藝是真空等離子體工藝，并且下列至少之一是有效的：

●由所述第二真空工藝所沉積的所述一個摻雜半導(dǎo)體層是所述正摻雜半導(dǎo)體層；

●所述一個摻雜半導(dǎo)體層是在包含SiH₄對H₂的濃度為0.1％至10％，優(yōu)選為1％至5％的氣氛中沉積的；

●所述一個摻雜半導(dǎo)體層是在包含SiH₄的氣氛中沉積的，并且在所述氣氛中該摻雜物對SiH₄的濃度是0.1％到10％，優(yōu)選為0.05％到0.5％；

●所述一個摻雜半導(dǎo)體層是在功率密度為10mW/cm²到1W/cm²，優(yōu)選地是介于50mW/cm²到300mW/cm²之間沉積的；

●所述一個摻雜半導(dǎo)體層是在0.5mbar到12mbar的總壓力下沉積的；

●所述一個摻雜半導(dǎo)體層是在介于150℃到280℃之間的工藝溫度下沉積的；

●所述一個摻雜半導(dǎo)體層是以頻率為13.56MHz到82MHz的Rf功率沉積的。