[發(fā)明專利]存儲(chǔ)器扭結(jié)檢查

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201080040564.8
• 申請(qǐng)日: 2010-08-31
• 公開（公告）號(hào): CN102483954A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 烏黛·錢德拉塞卡爾;馬克·赫爾姆
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號(hào): G11C16/10
• 分類號(hào): G11C16/10
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 宋獻(xiàn)濤

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明一般來說涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置、方法及系統(tǒng)，且更特定來說涉及存儲(chǔ)器扭結(jié)檢查。

背景技術(shù)

通常提供存儲(chǔ)器裝置作為計(jì)算機(jī)或其它電子裝置中的內(nèi)部半導(dǎo)體集成電路。存在許多不同類型的存儲(chǔ)器，包括隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)、同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)及快閃存儲(chǔ)器以及其它存儲(chǔ)器。

快閃存儲(chǔ)器裝置(包括浮動(dòng)?xùn)艠O快閃裝置及使用以電荷阱在氮化物層中存儲(chǔ)信息的半導(dǎo)體-氧化物-氮化物-氧化物-半導(dǎo)體及金屬-氧化物-氮化物-氧化物-半導(dǎo)體電容器的電荷阱快閃(CTF)裝置)可用作寬廣范圍的電子應(yīng)用的非易失性存儲(chǔ)器。快閃存儲(chǔ)器裝置通常使用允許高存儲(chǔ)器密度、高可靠性及低功率消耗的單晶體管存儲(chǔ)器單元。

快閃存儲(chǔ)器的用途包括用于固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)、個(gè)人計(jì)算機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、數(shù)碼相機(jī)、蜂窩式電話、便攜式音樂播放器(例如，MP3播放器)及電影播放器的存儲(chǔ)器。例如程序代碼、用戶數(shù)據(jù)及/或系統(tǒng)數(shù)據(jù)(例如基本輸入/輸出系統(tǒng)(BIOS))等數(shù)據(jù)通常存儲(chǔ)于快閃存儲(chǔ)器裝置中。此數(shù)據(jù)可在個(gè)人計(jì)算機(jī)系統(tǒng)以及其它系統(tǒng)中使用。快閃存儲(chǔ)器的一些用途可包括在不擦除編程到快閃存儲(chǔ)器裝置的數(shù)據(jù)的情況下對(duì)所述數(shù)據(jù)的多次讀取。

兩種常見類型的快閃存儲(chǔ)器陣列架構(gòu)為“NAND”及“NOR”架構(gòu)，如此稱謂是因?yàn)槊恳活愋偷幕敬鎯?chǔ)器單元配置被布置成的邏輯形式。NAND陣列架構(gòu)將其存儲(chǔ)器單元陣列布置成矩陣，使得所述陣列的一“行”中的每一存儲(chǔ)器單元的控制柵極耦合到(且在一些情況下形成)一存取線，所述存取線在此項(xiàng)技術(shù)中通常稱作“字線”。然而，每一存儲(chǔ)器單元并不通過其漏極直接耦合到數(shù)據(jù)線(所述數(shù)據(jù)線在此項(xiàng)技術(shù)中通常稱作數(shù)字線，例如，位線)。而是，所述陣列的存儲(chǔ)器單元源極到漏極地一起串聯(lián)耦合于共用源極與數(shù)據(jù)線之間，其中共同耦合到特定數(shù)據(jù)線的存儲(chǔ)器單元稱作一“列”。

可將NAND陣列架構(gòu)中的存儲(chǔ)器單元編程為所要狀態(tài)。舉例來說，可將電荷置于存儲(chǔ)器單元的電荷存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)(例如浮動(dòng)?xùn)艠O)上或從所述電荷存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)移除電荷來將所述單元置于一定數(shù)目個(gè)經(jīng)編程狀態(tài)中的一者。舉例來說，單電平單元(SLC)可表示兩個(gè)狀態(tài)，例如，1或0。快閃存儲(chǔ)器單元還可存儲(chǔ)兩個(gè)以上狀態(tài)，例如，1111、0111、0011、1011、1001、0001、0101、1101、1100、0100、0000、1000、1010、0010、0110及1110。此些單元可稱作多電平單元(MLC)。MLC可允許制造較高密度的存儲(chǔ)器而不增加存儲(chǔ)器單元的數(shù)目，這是因?yàn)槊恳粏卧杀硎疽粋€(gè)以上數(shù)字(例如，一個(gè)以上位)。舉例來說，能夠表示四個(gè)數(shù)字的單元可具有16個(gè)經(jīng)編程狀態(tài)。對(duì)于一些MLC，所述16個(gè)經(jīng)編程狀態(tài)中的一者可為經(jīng)擦除狀態(tài)。對(duì)于這些MLC，最低經(jīng)編程狀態(tài)不會(huì)被編程超過經(jīng)擦除狀態(tài)，也就是說，如果將單元編程到最低狀態(tài)，那么其保持處于所述經(jīng)擦除狀態(tài)中而不具有在編程操作期間施加到所述單元的電荷。其它15個(gè)經(jīng)編程狀態(tài)可稱作“未經(jīng)擦除”狀態(tài)。

包括NAND陣列的一些存儲(chǔ)器裝置可經(jīng)編程使得并不同時(shí)編程耦合到特定存取線的所有單元，例如，如在屏蔽式位線(SBL)編程中，其可包括單獨(dú)地編程耦合到特定存取線的交替單元。包括NAND陣列的一些存儲(chǔ)器裝置可經(jīng)編程使得同時(shí)編程耦合到特定存取線的所有單元，例如在全位線(ABL)編程中。在ABL編程中，鄰近存儲(chǔ)器單元之間的電容性耦合可對(duì)正編程的存儲(chǔ)器單元具有不利影響。然而，ABL編程可相對(duì)于SBL編程提供更快的編程操作，因?yàn)榭赏瑫r(shí)編程耦合到特定存取線的所有單元。

發(fā)明內(nèi)容

附圖說明

圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器陣列的一部分的示意圖。

圖2圖解說明在編程操作期間的電容性耦合及編程扭結(jié)。

圖3是根據(jù)一些先前方法的編程操作的編程步長電壓對(duì)脈沖數(shù)目的現(xiàn)有技術(shù)圖表。

圖4A到4B是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)施例具有一定數(shù)目個(gè)控制元件的存儲(chǔ)器陣列的一部分的示意圖。

圖5A是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)施例與第一扭結(jié)檢查操作相關(guān)聯(lián)的時(shí)序圖。

圖5B是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)施例與第二扭結(jié)檢查操作相關(guān)聯(lián)的時(shí)序圖。

圖5C是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)施例的感測(cè)電路的示意圖。

圖6是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)施例的編程電路的示意圖。

圖7是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)施例的編程電路的示意圖。