[發(fā)明專利]有源矩陣基板和有源矩陣型顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080039896.4
• 申請日: 2010-05-21
• 公開（公告）號: CN102483889A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 菊池哲郎;田中信也;島田純也;山崎周郎
• 申請（專利權(quán)）人: 夏普株式會社
• 主分類號: G09F9/30
• 分類號: G09F9/30;G02F1/1368;H01L51/50
• 代理公司: 北京市隆安律師事務(wù)所 11323
• 代理人: 權(quán)鮮枝

1.一種有源矩陣基板，其特征在于，

具備絕緣基板，

上述絕緣基板具有顯示區(qū)域，并且具有周邊區(qū)域，

在上述顯示區(qū)域中具備多個像素TFT元件和反射像素電極，

上述周邊區(qū)域是設(shè)有用于驅(qū)動上述像素TFT元件的多個驅(qū)動TFT元件的上述顯示區(qū)域的周邊的區(qū)域，

在上述周邊區(qū)域中，還具備：支配線，其與上述驅(qū)動TFT元件電連接；和第1干配線，其與上述支配線電連接，用于輸入來自外部的信號，

在上述像素TFT元件和上述驅(qū)動TFT元件中，具備柵極電極層、源極和漏極電極層，

作為形成上述反射像素電極的層的反射像素電極層是與上述柵極電極層、上述源極和漏極電極層不同的層，

在上述周邊區(qū)域中，形成有第2干配線，上述第2干配線是沿著上述第1干配線的長度方向形成的配線，

上述第1干配線、上述第2干配線以及上述支配線分別形成在從上述柵極電極層、上述源極和漏極電極層、上述反射像素電極層中選擇的不同的層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源矩陣基板，其特征在于，

上述第2干配線以在俯視時至少其一部分與上述第1干配線重疊的方式形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有源矩陣基板，其特征在于，

上述第2干配線與上述第1干配線電連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項所述的有源矩陣基板，其特征在于，

上述支配線與以下任一個電極層形成在同一層：上述柵極電極層、上述源極和漏極電極層；

上述第1干配線與以下電極層形成在同一層：與上述柵極電極層、上述源極和漏極電極層中的形成上述支配線的電極層不同的電極層；

上述第2干配線與上述反射像素電極層形成在同一層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項所述的有源矩陣基板，其特征在于，

上述像素TFT元件還電連接著透明像素電極，

上述第1干配線及上述第2干配線與上述支配線由連接導(dǎo)體電連接，上述連接導(dǎo)體與上述透明像素電極形成在同一層。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有源矩陣基板，其特征在于，

上述第1干配線和上述第2干配線，

各自的與長度方向垂直的方向的線寬以及各自的長度方向的長度相同，

上述第1干配線與上述第2干配線在俯視時雙方的主要部分重疊。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項所述的有源矩陣基板，其特征在于，

將上述第1干配線或上述第2干配線與上述驅(qū)動TFT元件電連接的支配線的至少1根形成在上述反射像素電極層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任一項所述的有源矩陣基板，其特征在于，

將上述驅(qū)動TFT元件彼此電連接的配線的至少1根形成在上述反射像素電極層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中的任一項所述的有源矩陣基板，其特征在于，

在上述像素TFT元件和上述驅(qū)動TFT元件中具備非晶半導(dǎo)體層。

10.一種有源矩陣型顯示裝置，其特征在于，

具備權(quán)利要求1至9中的任一項所述的有源矩陣基板。