[發明專利]化學氣相沉積反應器

無效

• 申請號: 201080039892.6
• 申請日: 2010-08-30
• 公開（公告）號: CN102612571A
• 公開（公告）日: 2012-07-25
• 發明（設計）人: G.K.斯特勞赫;D.布里恩;M.道爾斯伯格
• 申請（專利權）人: 艾克斯特朗歐洲公司
• 主分類號: C23C16/46
• 分類號: C23C16/46;C23C16/52
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 任宇

1.一種反應器，尤其是化學氣相沉積反應器，該反應器帶有布置在反應器殼體內的可加熱的主體(2，3)，帶有與主體(2，3)間隔的用于加熱所述主體(2，3)的加熱裝置(4，17)，以及帶有與主體(2，3)間隔的冷卻裝置(5，18)，該冷卻裝置這樣布置，使得從加熱裝置(4，17)經由加熱裝置(4，17)和主體(2，3)之間的間隙向主體(2，3)傳遞熱量并且從主體(2，3)經由主體(2，3)和冷卻裝置(5，18)之間的間隙向冷卻裝置(5，18)傳遞熱量，其特征在于一個或多個可置于冷卻/或加熱裝置(4，5，17，18)之間的間隙中的調節體(6，19)，用于局部影響熱量輸送。

2.如權利要求1或尤其是如下所述的反應器，其特征在于，在可加熱的主體(2，3)和冷卻裝置(5，18)之間的間隙包含氣體，該氣體具有第一熱導率，并且調節體(6，19)具有第二熱導率，該第二熱導率與第一熱導率不同并且尤其是更大，優選至少是兩倍或五倍。

3.如前述權利要求中的一項或多項或尤其是如下所述的反應器，其特征在于，可加熱的主體(2，3)由形成工藝腔室(1)的第一壁的、用于承接要熱處理的基體的承受器(2)構成或者由工藝腔室(1)的與所述承受器(2)有間距地相對置第二壁(3)構成。

4.如前述權利要求中的一項或多項或尤其是如下所述的反應器，其特征在于，所述調節體(6，19)可從該調節體位于工藝腔室(1)的基本輪廓之外的不作用位置移動到在工藝腔室(1)的基本輪廓內的間隙中的作用位置，或者在間隙中在工藝腔室(1)的基本輪廓內部的兩個作用位置之間移動。

5.如前述權利要求中的一項或多項或尤其是如下所述的反應器，其特征在于，所述加熱裝置(4，17)由射頻線圈構成，而冷卻裝置由所述射頻線圈中的冷卻通道(5，18)構成。

6.如前述權利要求中的一項或多項或尤其是如下所述的反應器，其特征在于，所述射頻線圈(4)螺旋狀地布置于延伸在一個水平面內的承接器(2)的下方的一個平面中，并且至少一個所述調節體(6)以可移動的方式布置在承接器(2)和射頻線圈(4)之間的與該平面平行的一個平面中。

7.如前述權利要求中的一項或多項或尤其是如下所述的反應器，其特征在于，所述射頻線圈(17)螺旋狀地布置于延伸在一個水平面內的、與承接器(2)相對置的工藝腔室蓋(3)的上方的一個平面中，并且至少一個所述調節體(6)以可移動的方式布置在所述工藝腔室蓋(3)和射頻線圈(17)之間的與該平面平行的一個平面中。

8.如前述權利要求中的一項或多項或尤其是如下所述的反應器，其特征在于，所述調節體(6，19)是電絕緣體并且尤其由石英制成。

9.如前述權利要求中的一項或多項或尤其是如下所述的反應器，其特征在于，所述調節體(6，19)的朝向可加熱的主體(2，3)或朝向加熱裝置(4，17)的表面(6’，6”，19’，19”)是反射的。

10.一種用于對反應器的工藝腔室中的基體進行熱處理的方法，該工藝腔室由第一和第二壁(2，3)構成，所述方法尤其用于在化學氣相沉積反應器中沉積層，其中，所述基體貼靠在構成過程腔(1)的第一壁的承受器(2)上，其中，至少一個壁(2，3)由與該壁(2，3)間隔的加熱裝置(4，19)加熱到工藝溫度，并且，至少一個被加熱的所述壁(2，3)配設有與之間隔的冷卻裝置，該冷卻裝置這樣布置，使得從加熱裝置(4，17)經由加熱裝置(4，17)和被加熱的工藝腔室壁(2，3)之間的間隙向工藝腔室壁(2，3)傳遞熱量并且從加熱的工藝腔室壁(2，3)經由被加熱的工藝腔室壁(2，3)和冷卻裝置(5，18)之間的間隙向冷卻裝置(5，18)傳遞熱量，其特征在于，在熱處理過程中和/或在時間上相繼的處理步驟之間，這樣地移動一個或多個可置于冷卻/或加熱裝置(4，5，17，18)之間的間隙中的調節體(6，19)，使得熱傳輸被局部地影響，以局部地影響被加熱的壁(2，3)的朝向工藝腔室(1)的表面的溫度。

11.如權利要求10或尤其是如下所述的方法，其特征在于，在由第一壁構成的承受器(2)或由第二壁構成的工藝腔室蓋(3)和配屬于相應的壁的冷卻裝置(5，18)之間的間隙中存在具有第一熱導率的氣體，而調節體(6，19)具有第二熱導率，該第二熱導率與第一熱導率相差至少一個倍數(2)。