[發明專利]消光整理聚酰亞胺薄膜及其相關方法

有效

• 申請號: 201080039588.1
• 申請日: 2010-08-12
• 公開（公告）號: CN102482436A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發明（設計）人: T·E·卡內;J·M·巴爾托靈;M·L·鄧巴
• 申請（專利權）人: E.I.內穆爾杜邦公司
• 主分類號: C08J5/00
• 分類號: C08J5/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 朱黎明

發明領域

本公開一般涉及消光整理基膜，其用于表護層應用并且具有介電特性和光學特性。更具體地講，本公開的消光整理基膜包含通過化學(而不是熱)轉化方法而亞胺化的聚酰亞胺薄膜中的相對低濃度的顏料和消光劑。

發明背景

廣義地說，表護層被稱為用于保護電子材料的阻擋膜，例如用于保護柔性印刷電路板、電子元件、集成電路封裝的引線框等。然而，需要表護層越來越薄并且成本越來越低，同時需要表護層不僅具有可接受的電性能(例如，介電強度)，而且具有可接受的結構特性和光學特性，以防范對受表護層保護的電子元件進行不需要的目視檢查和干擾。

發明概述

本公開涉及基膜。基膜包含化學轉化的聚酰亞胺，其量為所述基膜的63重量％至96重量％。該化學轉化的聚酰亞胺衍生自：i.基于所述聚酰亞胺的總二酐含量至少50摩爾％的芳族二酐，和ii.基于所述聚酰亞胺的總二胺含量至少50摩爾％的芳族二胺。基膜還包含：顏料(其不是炭黑)，所述顏料以基膜的2重量％至35重量％的量存在；和消光劑，所述消光劑：

a.以基膜的1.6重量％至10重量％的量存在，

b.具有1.3至10微米的中值粒度，并且

c.具有2至4.5g/cc的密度。

在一個實施方案中，基膜具有：i.8至152微米的厚度；ii.2至35的60度光澤度值；iii.大于或等于2的光密度；和iv.大于1400伏/密耳的介電強度。本公開還涉及表護層薄膜，該表護層薄膜包括與粘合劑層結合的基膜。

發明詳述

定義

如本文所用，術語“包含”、“包括”、“具有”或它們的任何其它變型均旨在涵蓋非排他性的包括。例如，包括要素列表的方法、工藝、制品或設備不必僅僅限于那些要素而是可包括未明確列出的或此類方法、工藝、制品或設備固有的其它要素。此外，除非明確指明相反，“或”是指包含性的“或”而不是指排他性的“或”。例如，以下任何一種情況均滿足條件A或B：A是真實的(或存在的)且B是虛假的(或不存在的)，A是虛假的(或不存在的)且B是真實的(或存在的)，以及A和B都是真實的(或存在的)。

另外，使用“一個”或“一種”來描述本發明的元件和組件。這樣做僅僅是為了方便并且給出本發明的一般含義。這種描述應被理解為包括一個或至少一個，并且該單數也包括復數，除非很明顯地另指他意。

如本文所用，“二酐”旨在包括前體或其衍生物，嚴格地講，它們可能并不是二酐，但仍然可以與二胺反應以形成聚酰胺酸，聚酰胺酸可繼而被轉化為聚酰亞胺。

如本文所用，“二胺”旨在包括前體或其衍生物，嚴格地講，它們可能并不是二胺，但仍然可以與二酐反應以形成聚酰胺酸，聚酰胺酸可繼而被轉化為聚酰亞胺。

如本文所用，“聚酰胺酸”旨在包括衍生自二酐和二胺單體或其功能等同物的組合，并且能夠通過化學轉化方法轉化為聚酰亞胺的任何聚酰亞胺前體材料。

如本文所用，“預聚物”旨在表示相對低分子量的聚酰胺酸溶液，該溶液使用化學計量過量的二胺制備，以提供大約50至100泊的溶液粘度。

如本文所用，“化學轉化”或“化學轉化的”表示使用催化劑(促進劑)或脫水劑(或兩者)將聚酰胺酸轉化為聚酰亞胺，并且旨在包括部分化學轉化的聚酰亞胺，隨后在高溫下將其干燥至固含量大于98％。

本文的“整理溶液”表示極性非質子溶劑中的二酐，將二酐加入預聚物溶液中以提高分子量和粘度。所用的二酐通常與制備預聚物的二酐相同(或當使用多于一種的二酐時，與其中一種相同)。

當量、濃度、或其它值或參數以范圍、優選范圍或優選上限值和優選下限值的列表形式給出時，其應被理解為具體地公開由任何范圍上限或優選值和任何范圍下限或優選值的任何一對所構成的所有范圍，而不管所述范圍是否被單獨地公開。除非另行指出，凡在本文中給出某一數值范圍之處，該范圍均旨在包含其端點，以及位于該范圍內的所有整數和分數。當定義一個范圍時，不旨在將本發明的范圍限定于所列舉的具體值。

在描述某些聚合物時，應當理解，有時申請人提及聚合物時使用的是用來制成它們的單體或用來制成它們的單體的量。盡管此類描述可能不包括用于描述最終聚合物的具體命名或可能不含以方法限定產品的術語，但對單體和量的任何此類提及應被解釋為是指聚合物由那些單體制成，除非上下文另外指明或暗示。