[發(fā)明專利]具有半導(dǎo)體本體、絕緣層和平面導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的光電子器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201080039409.4
• 申請(qǐng)日: 2010-08-05
• 公開（公告）號(hào): CN102484171A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 卡爾·魏德納;拉爾夫·維爾特;阿克塞爾·卡爾滕巴赫爾;沃爾特·韋格萊特;貝恩德·巴克曼;奧利弗·武茨;揚(yáng)·馬費(fèi)爾德
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00;H01L33/44;H01L33/62
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 張春水;田軍鋒

1.光電子器件(10)，該光電子器件具有帶有輻射出射側(cè)(20)的至少一個(gè)半導(dǎo)體本體(2)，所述半導(dǎo)體本體借助與所述輻射出射側(cè)(20)對(duì)置的側(cè)設(shè)置在襯底(1)上，其中

-在所述輻射出射側(cè)(20)上設(shè)置有至少一個(gè)電端子區(qū)域(22)，在所述電端子區(qū)域上設(shè)置有金屬化突出部(3)，

-所述半導(dǎo)體本體(2)至少局部地設(shè)有絕緣層(4)，其中所述金屬化突出部(3)伸出所述絕緣層(4)，并且

-在所述絕緣層(4)上設(shè)置有至少一個(gè)平面導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(5)，用于平面接觸所述半導(dǎo)體本體(2)，所述平面導(dǎo)電結(jié)構(gòu)通過金屬化突出部(3)與所述電端子區(qū)域(22)導(dǎo)電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電子器件，其中所述金屬化突出部(3)是釘頭凸點(diǎn)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電子器件，其中所述金屬化突出部(3)是焊球。

4.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的光電子器件，其中所述金屬化突出部(3)包括鎳金(Ni/Au)化合物和/或鎳鈀(Ni/Pd)化合物。

5.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的光電子器件，其中所述絕緣層(4)對(duì)于從所述半導(dǎo)體本體(2)發(fā)射的輻射是透明的。

6.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的光電子器件，其中在所述絕緣層(4)中設(shè)置有轉(zhuǎn)換材料(6)。

7.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的光電子器件，其中至少一個(gè)另外的半導(dǎo)體本體(2b)設(shè)置在所述襯底(1)上。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光電子器件，其中所述半導(dǎo)體本體(2a)和所述另外的半導(dǎo)體本體(2b)借助另外的平面導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(5c)彼此導(dǎo)電連接。

9.用于制造光電子器件(10)的方法，該方法具有以下方法步驟：

A)將半導(dǎo)體本體(2)借助與輻射出射側(cè)(20)背離的側(cè)設(shè)置在襯底(1)上，

B)將金屬化突出部(3)施加在所述半導(dǎo)體本體(2)的電端子區(qū)域(22)上，所述電端子區(qū)域設(shè)置在所述輻射出射側(cè)(20)上，

C)接著，將絕緣層(4)施加到所述半導(dǎo)體本體(2)上，使得所述金屬化突出部(3)伸出所述絕緣層(4)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述方法步驟B)包括絲網(wǎng)印刷方法或回流方法。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述金屬化突出部(3)是焊球，其中所述方法步驟B)包括焊接工藝。

12.根據(jù)前述權(quán)利要求9至11之一所述的方法，其中所述方法步驟C)包括在壓力下層壓所述絕緣層(4)。

13.根據(jù)前述權(quán)利要求9至11之一所述的方法，其中所述方法步驟C)包括絲網(wǎng)印刷方法或模制方法。

14.根據(jù)前述權(quán)利要求9至11之一所述的方法，其中在所述方法步驟C)中將所述絕緣層(4)壓緊到所述金屬化突出部(3)上。

15.根據(jù)前述權(quán)利要求9至14之一所述的方法，其中所述方法步驟C)包括借助壓印工藝、磨削工藝、激光燒蝕、等離子體工藝或快速切削工藝來暴露所述金屬化突出部(3)。