[發(fā)明專利]層施用的工藝

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080039337.3
• 申請日: 2010-08-19
• 公開（公告）號: CN102482773A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蒂爾·默克爾;克里斯蒂安·萊納爾特
• 申請（專利權(quán)）人: 威蘭德-沃克公開股份有限公司
• 主分類號: C23C16/40
• 分類號: C23C16/40;C23C16/448
• 代理公司: 中國商標專利事務(wù)所有限公司 11234
• 代理人: 萬學(xué)堂;桑麗茹

1.在大氣壓或低于其30％的壓力下，通過氣相化學(xué)沉積工藝，在金屬、半金屬或其化合物以及由這些材料所制成的元件或組合件的表面上施用由陶瓷或有機陶瓷材料所組成的層的工藝，沉積期間該工藝的溫度在500℃以下，其特征在于：

-用于從氣相進行層形成的反應(yīng)活性化學(xué)物質(zhì)是通過催化氣相反應(yīng)從大量前體形成的；

-在共同的氣室中進行前述催化氣相反應(yīng)和沉積工藝；

-在一次操作中進行沉積工藝；

-在共同的氣室中均勻地回混反應(yīng)活性化學(xué)物質(zhì)和前體；和

-作為氣室容積與氣體通量之間比率的平均滯留時間與涂層工藝的催化氣相反應(yīng)的速率決定步驟相匹配，以獲得每小時從10nm到2000nm的沉積速率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其特征在于完全回混氣室中工藝氣體的平均滯留時間是大于2分鐘。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其特征在于完全回混氣室中工藝氣體的平均滯留時間是大于10分鐘。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其特征在于完全回混氣室中工藝氣體的平均滯留時間是大于20分鐘。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一權(quán)利要求所述的工藝，其特征在于層形成期間的工藝溫度在100℃到450℃范圍之間選擇。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的工藝，其特征在于層形成期間的工藝溫度在250℃到400℃范圍之間選擇。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一權(quán)利要求所述的工藝，其特征在于用于反應(yīng)活性化學(xué)物質(zhì)形成的前體在催化水解反應(yīng)中進行反應(yīng)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的工藝，其特征在于前體在酸或堿催化的水解反應(yīng)中進行反應(yīng)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一權(quán)利要求所述的工藝，其特征在于用于產(chǎn)生層形成所需的反應(yīng)活性化學(xué)物質(zhì)的催化氣相反應(yīng)發(fā)生在相同的氣室中，在該氣室中也進行表面的涂層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一權(quán)利要求所述的工藝，其特征在于在上游第一氣室中進行用于產(chǎn)生層形成所需的反應(yīng)活性化學(xué)物質(zhì)的催化氣相反應(yīng)，然后反應(yīng)活性化學(xué)物質(zhì)從該第一氣室被引入到第二氣室，在該第二氣室，進行表面的涂層。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一權(quán)利要求所述的工藝，其特征在于烷氧基、羧基和/或未被取代、部分被取代或全部被取代的烷基-烷氧基或烷基-羧基化合物用作前體。

12.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一權(quán)利要求所述的工藝，其特征在于硅、鋁、鈦或鋯的烷氧基、羧基和/或未被取代、部分被取代或全部被取代的烷基-烷氧基或烷基-羧基化合物用作前體。

13.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一權(quán)利要求所述的工藝，其特征在于使用1∶1-5∶1-5比率的TEOS、乙酸和水作為前體。

14.根據(jù)權(quán)利要求1至13中任一權(quán)利要求所述的工藝，其特征在于所用前體是很穩(wěn)定的，可運輸?shù)模⑶铱稍谑覝叵麓鎯Χ粫c空氣形成任何爆炸性混合物。