[發明專利]電流放大晶體管裝置和電流放大發光晶體管裝置

有效

• 申請號: 201080039082.0
• 申請日: 2010-09-03
• 公開（公告）號: CN102484072A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發明（設計）人: 中山健一;城戶淳二;夫勇進;鈴木文人;小熊尚實;平田直毅
• 申請（專利權）人: 大日精化工業株式會社;中山健一
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;H01L29/73;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/50
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 苗征;于輝

1.電流放大晶體管裝置，其具有發射極、集電極、在所述發射極和所述集電極之間形成的第一有機半導體層和第二有機半導體層、以及在所述第一有機半導體層和所述第二有機半導體層之間形成的片狀基極，其中所述第一有機半導體層設置在所述發射極與所述基極之間，并具有p-型有機半導體層和n-型有機半導體層的二極管結構。

2.根據權利要求1所述的電流放大晶體管裝置，其中所述第二有機半導體層包括設置在所述集電極與所述基極之間的n-型有機半導體層；所述第一有機半導體層具有在所述基極上方形成的p-型有機半導體層以及在所述發射極下方形成的n-型有機半導體層的二極管結構。

3.根據權利要求2所述的電流放大晶體管裝置，其中所述第一有機半導體層中的所述p-型有機半導體層和n-型有機半導體層分別為空穴傳輸材料層和電子傳輸材料層。

4.根據權利要求2所述的電流放大晶體管裝置，其中所述第一有機半導體層中的所述p-型有機半導體層由金屬酞菁或非金屬酞菁形成。

5.根據權利要求2所述的電流放大晶體管裝置，其中所述第一有機半導體層中的所述p-型有機半導體層由并五苯形成。

6.根據權利要求1-5任一項所述的電流放大晶體管裝置，其中所述第二有機半導體層設置在所述集電極與所述基極之間，并包括堆疊的有機半導體層，所述堆疊的有機半導體層可通過將由N，N’-二甲基苝四羧酸二酰亞胺(Me-PTCDI)形成的有機半導體層，和由富勒烯(C60)形成的另一有機半導體層堆疊到一起獲得。

7.根據權利要求1-6任一項所述的電流放大晶體管裝置，其還包括在所述基極和所述第二有機半導體層之間形成的氟化鋰層。

8.根據權利要求1-7任一項所述的電流放大晶體管裝置，其在不高于5V的低電壓下的電流放大系數至少為50。

9.根據權利要求1-8任一項所述的電流放大晶體管裝置，其開通/關斷比至少為100。

10.電流放大發光晶體管裝置，其包括根據權利要求1-9任一項所述的電流放大晶體管裝置和在所述第一有機半導體層中的所述p-型有機半導體層與所述n-型有機半導體層之間形成的有機EL裝置部分，其中所述有機EL裝置部分包括有機發光層和選自空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層的至少一層。

11.電流放大發光晶體管裝置，其包括根據權利要求1-9任一項所述的電流放大晶體管裝置和在所述第二有機半導體層與所述集電極之間形成的有機EL裝置部分，其中所述有機EL裝置部分包括有機發光層和選自空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層的至少一層。