[發(fā)明專利]用于有機電子器件的可溶液加工的鈍化層

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080039019.7
• 申請日: 2010-08-06
• 公開（公告）號: CN102484202A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: M·詹姆斯;N·格雷因特;M·卡拉斯克-奧拉斯克;P·C·布魯克斯;D·C·穆勒;P·E·梅爾;S·阿姆斯沖;S·S·皮那達姆
• 申請（專利權(quán)）人: 默克專利股份有限公司
• 主分類號: H01L51/10
• 分類號: H01L51/10
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 鄧毅

1.制備用于有機電子器件的鈍化層的方法，包括以下步驟：

a)提供有機半導(dǎo)體層，

b)由包含鈍化材料和一種或多種溶劑的第一配制劑沉積第一鈍化層到有機半導(dǎo)體層上，并且除去溶劑，

c)任選地，由包含鈍化材料和任選地一種或多種溶劑的第二配制劑沉積第二鈍化層到第一鈍化層上，并且除去可能存在的溶劑，

其中所述第一配制劑中包含的溶劑選自水或氟化有機溶劑，和

其中如果所述第一配制劑包含水作為溶劑，則該第一配制劑在沉積到有機半導(dǎo)體上之前進行處理以除去離子雜質(zhì)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，特征在于所述第一配制劑包含水作為溶劑，并且在沉積于有機半導(dǎo)體上之前進行處理以除去離子雜質(zhì)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，特征在于除去離子雜質(zhì)的處理過程包括滲析、反滲透、超濾、微濾或納米過濾。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3的一項或多項的方法，特征在于所述第一配制劑包含水作為溶劑和選自以下的鈍化材料：水溶性烴聚合物、低聚物、聚合物前體、可聚合化合物或者上述任一種的混合物。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4的一項或多項的方法，特征在于所述第一配制劑包含氟化有機溶劑和選自以下的鈍化材料：氟化烴聚合物、低聚物、聚合物前體、可聚合化合物或者上述任一種的混合物。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5的一項或多項的方法，特征在于所述第二配制劑不含溶劑。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6的一項或多項的方法，特征在于所述第二配制劑包含選自以下的鈍化材料：硅聚合物、低聚物、聚合物前體、可聚合化合物或者上述任一種的混合物。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-7的一項或多項的方法，特征在于所述第一和/或第二配制劑的鈍化材料在沉積后交聯(lián)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-8的一項或多項的方法，特征在于有機半導(dǎo)體層包含選自以下的化合物：取代的并五苯、取代的并四苯、取代的蒽或者其的雜環(huán)衍生物。

10.通過根據(jù)權(quán)利要求1-9的至少一項的方法得到的有機電子器件。

11.根據(jù)權(quán)利要求10的有機電子器件，特征在于其選自：有機場效應(yīng)晶體管(OFET)、薄膜晶體管(TFT)、集成電路(IC)的組件、射頻識別(RFID)標(biāo)簽、有機發(fā)光二極管(OLED)、電致發(fā)光顯示器、平板顯示器、背光照明、光檢測器、感應(yīng)器、邏輯電路、記憶元件、電容器、有機光電(OPV)電池、電荷注入層、肖特基二極管、平面化層、抗靜電膜、導(dǎo)電基底或圖案、光導(dǎo)體、光接受器、電子照相器件和靜電印刷器件。

12.根據(jù)權(quán)利要求10或11的有機電子器件，特征在于其是底柵OFET。