[發明專利]濺射裝置

無效

• 申請號: 201080038999.9
• 申請日: 2010-08-25
• 公開（公告）號: CN102575338A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 石川拓;小野裕司;林輝幸
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

技術領域

本發明涉及一種濺射裝置。

背景技術

以往，廣為周知利用濺射法形成各種金屬膜、金屬化合物膜的做法，提出有用于形成濺射膜的各種濺射方式、濺射裝置。

例如在專利文獻1中公開有一種在相對的兩個靶材(target)上設置有用于施加彼此錯開180度相位的交流電壓的交流電源的濺射裝置(相對靶材型濺射裝置：FTS)。圖1是表示設置有以往的交流電源的濺射裝置100的一例的剖視概略圖。另外，濺射裝置100通常設置在能夠進行抽真空的殼體內部，但在圖1中省略了該殼體。

如圖1所示，在該濺射裝置100中相對配置有兩個由例如鋁(Al)、銀(Ag)構成的靶材105、106。呈交流電源110經由電路107電連接在靶材105、106上、從而對各靶材105、106施加有錯開180度相位的交流電壓的狀態。另外，磁鐵112、113以互不相同的磁極相對的方式配置在靶材105、106的兩端部。而且，在作為上述靶材105、106之間的空間的濺射空間115中產生與靶材105、106垂直的方向的磁場。另外，在濺射空間115的側方配置有作為濺射膜的制作對象的基板G。另外，基板G保持于未圖示的基板保持構件，能夠適當地移動。

在濺射空間115的側方且未配置基板G的一側配置有用于供給例如氬等非活性氣體、并根據需要向濺射空間115中供給氧、氮的氣體供給部117。

在像以上說明的那樣構成的以往的濺射裝置100中，利用交流電場在濺射空間115中產生等離子體，利用產生的磁場將等離子體束縛在靶材105、106之間。如下述這樣進行濺射：利用該產生的等離子體將從氣體供給部117供給來的非活性氣體離子化，由于該離子化的非活性氣體的離子沖撞于靶材106(105)而彈飛的靶材物質在基板G上成膜。

專利文獻1：日本特開平11-29860號公報

但是，在采用上述的結構的以往的濺射裝置100中，例如，在對已經形成有有機薄膜的基板G進行濺射處理的情況下，存在這樣的問題：由于隨著在濺射空間115中產生等離子體而產生光，短波長的紫外線等自濺射空間115泄漏而照射到有機薄膜上，對有機薄膜產生不良影響?？烧J為其原因在于，特別是在靶材105、106是銀、鋁的情況下，短波長的例如紫外線會切斷有機薄膜的有機分子的結合，因此，有機薄膜的特性會發生劣化。

發明內容

因此，鑒于上述問題點，本發明提供一種在對自濺射空間向作為濺射處理對象的形成有有機薄膜的基板的光進行遮擋而防止有機薄膜特性劣化的狀態下進行濺射處理的濺射裝置。

采用本發明，提供一種濺射裝置，該濺射裝置用于對配置在濺射空間的側方的基板進行濺射處理，該濺射空間形成在相對配置的一對靶材之間，其中，該濺射裝置包括用于對上述一對靶材施加電壓的電源、用于向上述濺射空間中供給非活性氣體的氣體供給部、配置在上述濺射空間和上述基板之間的遮光機構。

采用本發明，能夠提供一種在對自濺射空間向作為濺射處理對象的形成有有機薄膜的基板的光進行遮擋而防止有機薄膜特性劣化的狀態下進行濺射處理的濺射裝置。

附圖說明

圖1是以往的濺射裝置的剖視概略圖。

圖2是濺射裝置的剖視概略圖。

圖3是遮光機構的放大圖。

圖4是本發明的第1變形例的遮光機構的說明圖。

圖5是本發明的第2變形例的遮光機構的說明圖。

圖6的(a)、圖6的(b)是本發明的第3變形例的遮光機構的說明圖。

具體實施方式

下面，參照附圖說明本發明的實施方式。另外，在本說明書及附圖中，通過對實質上具有相同的功能結構的構成要件標注相同的附圖標記而省略重復說明。

圖2是用于對本發明的實施方式的基板G進行濺射處理的濺射裝置1的剖視概略圖。在此，濺射裝置1設置在未圖示的能夠進行抽真空的殼體內部。在濺射裝置1中，相對配置有由例如鋁(Al)、銀(Ag)、ITO或者透明導電性物質構成的一對靶材10、11。另外，用于施加彼此反相位的交流電壓的交流電源15經由電路16連接在一對靶材10、11上。在此，交流電源15的頻率為例如20kHz～100kHz，反相位的交流電壓為例如彼此錯開180度相位的交流電壓。磁性體17、18(磁鐵)以互不相同的磁極相對的方式分別安裝在一對靶材10、11的各端部，靶材10和靶材11之間的濺射空間20中產生與靶材10、11垂直的方向的磁場B。