[發(fā)明專利]基于乙烯的聚合物組合物

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080038998.4
• 申請日: 2010-06-30
• 公開（公告）號: CN102575071A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: T.赫梅爾-戴維多克;M.德米羅爾斯;S.海尼;叢蓉娟
• 申請（專利權(quán)）人: 陶氏環(huán)球技術(shù)有限責(zé)任公司
• 主分類號: C08L23/08
• 分類號: C08L23/08;C08F10/02;G01N30/30;G01N30/54
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 封新琴

1.基于乙烯的聚合物組合物，其特征為共聚單體分布常數(shù)大于約45，更優(yōu)選大于50，最優(yōu)選大于95，且高達(dá)400，優(yōu)選高達(dá)200，其中該組合物具有少于120個總不飽和單元/1,000,000C。

2.權(quán)利要求1所述的聚合物組合物，其中該組合物包含至多約3個長鏈分支/1000個碳，優(yōu)選約0.01至約3個長鏈分支/1000個碳。

3.權(quán)利要求1所述的聚合物組合物，具有的ZSVR至少為2。

4.權(quán)利要求3所述的聚合物組合物，進(jìn)一步的特征為包含少于20個1，1-亞乙烯基不飽和單元/1,000,000C。

5.權(quán)利要求1所述的聚合物組合物，其中該組合物具有雙峰分子量分布。

6.權(quán)利要求1所述的聚合物組合物，其中該組合物具有多峰MWD。

7.制品，其包含權(quán)利要求1所述的組合物。

8.權(quán)利要求1所述的聚合物組合物，進(jìn)一步包括單一DSC熔化峰。

9.熱塑性制劑，其包含權(quán)利要求1所述的組合物和至少一種天然或合成的聚合物。

10.權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述組合物已被至少部分交聯(lián)(至少5％凝膠)。

11.權(quán)利要求1所述的組合物，其中該組合物在35℃至120℃具有包含單峰或雙峰分布的共聚單體分布曲線，所述單峰或雙峰分布不包括吹掃。

12.權(quán)利要求1所述的聚合物組合物，包括約17,000至約220,000的Mw。

13.聚合方法，包括：

(A)在第一反應(yīng)器中或在多部分反應(yīng)器的第一部分中在第一催化劑的存在下，聚合乙烯，以及任選的C₃-C₂₀α-烯烴，以形成半晶態(tài)基于乙烯的聚合物，和

(B)在至少一個其它反應(yīng)器中或在多部分反應(yīng)器的后一部分中在第二催化劑的存在下將半晶態(tài)基于乙烯的聚合物與另外的乙烯反應(yīng)以形成乙烯類聚合物，其中(A)和(B)的催化劑可相同或不同，且

(A)和(B)的各催化劑為對應(yīng)于下式的多價芳基氧基醚的金屬絡(luò)合物

其中M³為Ti，Hf或Zr，優(yōu)選Zr；

Ar⁴每次出現(xiàn)時獨立地為取代的C_9-20芳基，其中所述取代基每次出現(xiàn)時獨立地選自烷基；環(huán)烷基；和芳基；和它們鹵代-、三烴基甲硅烷基-和鹵代烴基-取代的衍生物，條件是至少一個取代基與其連接的芳基缺少共平面性；

T⁴每次出現(xiàn)時獨立地為C_2-20亞烷基，亞環(huán)烷基或亞環(huán)烯基，或它們不活潑取代的衍生物，

R²¹每次出現(xiàn)時獨立地為氫、鹵素、烴基、三烴基甲硅烷基、三烴基甲硅烷基烴基、烷氧基或二(烴基)氨基，其不算氫至多50個原子；

R³每次出現(xiàn)時獨立地為氫、鹵素、烴基、三烴基甲硅烷基、三烴基甲硅烷基烴基、烷氧基或氨基，其不算氫至多50個原子；或者在相同亞芳基環(huán)上的兩個R³基團(tuán)一起或在相同或不同亞芳基環(huán)上的一個R³和一個R²¹基團(tuán)一起形成在兩個位置上連接至亞芳基的二價配體基團(tuán)或?qū)蓚€不同亞芳基環(huán)連接在一起，且

R^D，每次出現(xiàn)時獨立地為鹵素或烴基或三烴基甲硅烷基，其不算氫至多20個原子；或者2個R^D基團(tuán)一起為亞烴基、烴二基、二烯、或聚(烴基)亞甲硅基，尤其當(dāng)步驟(B)的反應(yīng)通過接枝聚合發(fā)生。

14.權(quán)利要求8所述的制品，其為至少一個膜層的形式。

15.表征用于共聚單體組合物分布(CDC)的基于乙烯的聚合物的方法，包括以下步驟：

(A)根據(jù)等式2從CEF獲得在35.0℃至119.0℃的各溫度(T)的重量分?jǐn)?shù)(W_T(T))，其中溫度階梯為0.200℃，

∫35119.0wT(T)dT=1]]>等式2

(B)以0.500的累計重量分?jǐn)?shù)計算平均溫度(T_平均)(等式3)，

等式3

(C)通過使用共聚單體含量校準(zhǔn)曲線(等式4)計算在中值溫度(T_中值)的對應(yīng)的以摩爾％計的中值共聚單體含量(C_中值)，

R²＝0.997????等式4

(D)通過使用一系列具有已知量的共聚單體含量的參考材料構(gòu)造共聚單體含量校準(zhǔn)曲線，在CEF實驗部分指定的相同實驗條件下用CEF分析11個參考材料，所述參考材料具有窄共聚單體分布(在CEF中35.0至119.0℃的單峰共聚單體分布)，重均Mw為35,000至115,000(通過常規(guī)GPC)，且共聚單體含量為0.0摩爾％至7.0摩爾％，

(E)通過使用各參考材料的峰溫度(T_p)和其共聚單體含量計算共聚單體含量校準(zhǔn)，該校準(zhǔn)為：R²為相關(guān)常數(shù)，

(F)由總重量分?jǐn)?shù)計算共聚單體分布指數(shù)，且共聚單體含量范圍為0.5*C_中值至1.5*C_中值，如果T_中值大于98.0℃，則共聚單體分布指數(shù)定義為0.95，

(G)從CEF共聚單體分布曲線通過檢索35.0℃至119.0℃的各數(shù)據(jù)點尋找最高峰獲得最大峰高度(如果兩個峰相同則選擇較低溫度的峰)，半寬度定義為在最大峰高度的一半時前面溫度和后面溫度的溫度差異，在最大峰一半時的前面溫度從35.0℃向前檢索，而在最大峰一半時的后面溫度從119.0℃向后檢索，在定義明確的雙峰分布，即其中峰溫度的差異等于或大于各峰的半寬度的總和的情況下，該聚合物的半寬度計算為各峰的半寬度的算數(shù)平均值，

(H)根據(jù)等式5計算溫度的標(biāo)準(zhǔn)偏差(Stdev)：

Stdev=Σ35.0119.0(T-Tp)2*wT(T)]]>等式5。