[發(fā)明專利]浸液曝光裝置用涂布材料組合物、疊層體、疊層體的形成方法以及浸液曝光裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201080038908.1 | 申請日: | 2010-09-01 |
| 公開(公告)號: | CN102549714A | 公開(公告)日: | 2012-07-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 武部洋子;橫小路修 | 申請(專利權(quán))人: | 旭硝子株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司: | 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人: | 楊海榮;穆德駿 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 浸液 曝光 裝置 用涂布 材料 組合 疊層體 形成 方法 以及 | ||
1.一種浸液曝光裝置用涂布材料組合物,用于在照射曝光光束并經(jīng)由液體將基材曝光的浸液曝光裝置的構(gòu)件表面形成斥液層,
所述組合物含有在主鏈上具有如下重復(fù)單元的含氟聚合物,所述重復(fù)單元具有在環(huán)結(jié)構(gòu)內(nèi)包含彼此不相鄰的2個或3個醚性氧原子的含氟脂肪族環(huán)結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的浸液曝光裝置用涂布材料組合物,所述含氟聚合物是包含來源于下式(b1)所示的含氟化合物、或下式(b2)所示的含氟化合物的重復(fù)單元的聚合物,
式中,W1為氟原子、或碳原子數(shù)1~3的全氟烷基或全氟烷氧基;W2和W3各自獨立地為氟原子、或可以包含氧原子的碳原子數(shù)1~6的全氟烷基;可以由W2和W3形成環(huán)狀結(jié)構(gòu);W4和W5各自獨立地為氟原子、或可以包含氧原子的碳原子數(shù)1~8的全氟烷基;可以由W4和W5形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的浸液曝光裝置用涂布材料組合物,包含溶解所述含氟聚合物的氟基溶劑。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3的任一項所述的浸液曝光裝置用涂布材料組合物,所述液體為水,所述斥液層為斥水層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4的任一項所述的浸液曝光裝置用涂布材料組合物,所述曝光光束為波長193nm的ArF準(zhǔn)分子激光。
6.一種疊層體,其形成在照射曝光光束并經(jīng)由液體將基材曝光的浸液曝光裝置的構(gòu)件表面,
所述疊層體含有在主鏈上具有如下重復(fù)單元的含氟聚合物,所述重復(fù)單元具有在環(huán)結(jié)構(gòu)內(nèi)包含彼此不相鄰的2個或3個醚性氧原子的含氟脂肪族環(huán)結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的疊層體,還具有形成在所述構(gòu)件表面的、含有具有一種以上官能團的含氟聚合物的層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的疊層體,所述在主鏈上具有重復(fù)單元、且所述重復(fù)單元具有含氟脂肪族環(huán)結(jié)構(gòu)的含氟聚合物是包含來源于下式(b1)所示的含氟化合物或下式(b2)所示的含氟化合物的重復(fù)單元的聚合物,
式中,W1為氟原子、或碳原子數(shù)1~3的全氟烷基或全氟烷氧基;W2和W3各自獨立地為氟原子、或可以包含氧原子的碳原子數(shù)1~6的全氟烷基;可以由W2和W3形成環(huán)狀結(jié)構(gòu);W4和W5各自獨立地為氟原子、或可以包含氧原子的碳原子數(shù)1~8的全氟烷基;可以由W4和W5形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求6~8的任一項所述的疊層體,所述液體為水。
10.根據(jù)權(quán)利要求6~9的任一項所述的疊層體,所述曝光光束為波長193nm的ArF準(zhǔn)分子激光。
11.一種疊層體的形成方法,在照射曝光光束并經(jīng)由液體將基材曝光的浸液曝光裝置的構(gòu)件表面形成疊層體,
所述方法具有以下工序:
對所述構(gòu)件表面進行預(yù)處理的工序;
在進行了所述預(yù)處理的構(gòu)件表面形成含有具有一種以上官能團的含氟聚合物的第2層的工序;以及
在所述第2層上涂布權(quán)利要求1~3的任一項所述的浸液曝光裝置用涂布材料組合物來形成第1層的工序。
12.一種浸液曝光裝置,其照射曝光光束并經(jīng)由液體將基材曝光,其中在構(gòu)件表面具有權(quán)利要求6~10的任一項所述的疊層體。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





