[發(fā)明專利]用于形成微電路的用于嵌入圖案的銅箔

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080038730.0
• 申請日: 2010-08-31
• 公開（公告）號: CN102577645A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設計）人: 柳鍾虎;梁暢烈
• 申請（專利權(quán)）人: 日進素材產(chǎn)業(yè)株式會社
• 主分類號: H05K3/42
• 分類號: H05K3/42;H05K3/18
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種用于精細圖案的嵌入式銅箔，且更具體來說，涉及一種包含阻擋層的嵌入式銅箔。

背景技術(shù)

隨著電子組件被高度集成、小型化，且變得較輕，電路被小型化且樹脂的厚度減小。為此，已開發(fā)出用于形成嵌入式精細電路圖案的技術(shù)(其中將電路嵌入樹脂中)，來取代通過使用典型的蝕刻法形成電路。

為制造包含此類精細電路圖案的嵌入式接線板(embedded?wiring?board)，已嘗試使用包含典型剝離層的金箔或銅箔的方法，所述典型剝離層以物理方式被剝離。然而，在這種情況下，當以物理方式移除剝離層時，由于可能產(chǎn)生折痕或化學物可滲透到剝離層中，因此實際上難以使用嵌入式接線板。另外，在嵌入型接線板的情況下，當種子層的表面粗糙度較高時，種子層與抗電鍍層之間的粘合強度會減小。因此，在用于形成電路的電鍍期間，甚至種子層與抗電鍍層之間的邊緣也會電鍍有銅，且因而精細電路圖案的電線之間的間隔會減小。另外，當載體銅箔層(carrier?copper?foil?layer)、阻擋層(barrier?layer)以及種子層按順序被完全蝕刻時，種子層的一部分(其表面粗糙度較高)可能被過度蝕刻，且因而可能出現(xiàn)短路。

因此，需要用于精細電路圖案的嵌入式銅箔，通過增加種子層與抗電鍍層之間的粘合強度，所述精細電路圖案的電線之間具有均勻的間隔。

發(fā)明內(nèi)容

技術(shù)問題

本發(fā)明提供一種用于精細電路圖案的嵌入式銅箔。

技術(shù)解決方案

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種用于精細電路圖案的嵌入式銅箔，所述精細電路圖案包含載體銅箔層；阻擋層，其形成于載體箔層的表面上；以及種子層，其形成于阻擋層的表面上，其中阻擋層為鎳層或鎳合金層，種子層為銅層，且種子層的平均表面粗糙度Rz為1.5μm或更小且Rmax為2.5μm或更小。

有利影響

根據(jù)本發(fā)明的實施例，由于使用包含表面粗糙度較低的種子層的銅箔來形成精細電路圖案，因此不會出現(xiàn)短路且電路的寬度不會減小。另外，不存在折痕且化學物不會由于物理剝離而滲透到剝離層中，且因而可獲得包含高密度電路圖案的嵌入式接線板。

附圖說明

圖1是用于描述通過使用包含表面粗糙度較低的種子層的銅箔來制造嵌入式接線板的方法的圖。

圖2是用于描述通過使用包含表面粗糙度較高的種子層的銅箔來制造嵌入式接線板的方法的概念圖。

圖3是用于實例1中制成的嵌入式圖案的銅箔的掃描電子顯微鏡(scanning?electron?microscope，SEM)圖像。

圖4是用于比較性實例1中制造的嵌入式圖案的銅箔的SEM圖像。

圖5是在載體銅箔層的表面上對阻擋層、種子層和防銹層(antirust?layer)按順序執(zhí)行電沉積的表面處理機的圖。

具體實施方式

最佳模式

在下文中，將相對于本發(fā)明的示范性實施例對嵌入式銅箔、制造嵌入式接線板的方法以及通過使用所述方法而制造的嵌入式接線板進行描述。

根據(jù)本發(fā)明的實施例的用于精細電路圖案的嵌入式銅箔包含：載體銅箔層；阻擋層，其形成于載體銅箔層的表面上；以及種子層(其為電路形成之前的層)，其形成于阻擋層的表面上，其中阻擋層為鎳層或鎳合金層，種子層為銅層，且種子層的平均表面粗糙度Rz為1.5μm或更小且Rmax為2.5μm或更小。

當種子層的平均表面粗糙度超出Rz小于1.5μm且Rmax小于2.5μm的范圍時，抗電鍍層與種子層的一部分(其表面粗糙度較高)之間的粘合強度可能會減小，從而在邊緣部分中形成空隙。因此，在具有精細電路圖案的鍍銅層的形成期間，在空隙上形成鍍箔層，因此電路的寬度可能會減小且可能不均勻。另外，當為了制造最終的嵌入式接線板而按順序移除載體銅箔層、阻擋層以及種子層時，種子層的表面粗糙度較高的所述部分會被相對過度地蝕刻，且因而可能會出現(xiàn)短路等問題。

在嵌入式銅箔中，阻擋層為鎳層或鎳合金層。鎳層或鎳合金層可各自為穩(wěn)定的，以使得所述鎳層或鎳合金層在種子層以及由銅形成的載體銅箔層的蝕刻步驟期間可不會溶解在銅蝕刻溶液中，且在阻擋層的蝕刻步驟期間可被完全蝕刻，而無任何殘余物。