[發明專利]半色調掩膜的制造方法

無效

• 申請號: 201080037805.3
• 申請日: 2010-06-25
• 公開（公告）號: CN102483568A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發明（設計）人: 金武成
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: G03F1/32
• 分類號: G03F1/32;H01L21/027
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 許向彤;林錦輝

1.一種半色調掩膜的制造方法，包括：

在襯底上形成半透過材料；以及

形成半透過區，所述半透過區用通過等離子體表面處理所述半透過材料和調節所述半透過材料的透射率而形成的具有與所述半透過材料的光透射率不同的透射率的至少一種半透過材料形成。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述半透過材料包括Cr、Si、Mo、Ta、Ti、Al、Zr、Sn、Zn、In、Mg、Hf、V、Nd、Ge、MgO-Al₂O₃或Si₃N₄中的一種作為主要元素，或者是混合有至少兩種或更多種上述元素的復合材料，或者包括在單個上述主要元素或所述復合材料中添加Co_x、O_x、N_x、C_x、F_x和B_x中的至少一種的復合材料，其中，下標x是自然數并且限定每種化學元素的個數。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，對所述半透過材料進行等離子體表面處理，以在1％至10％的范圍內細調所述光透射率。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，對所述半透過材料進行等離子體表面處理，以在10％至90％的范圍內細調所述光透射率。

5.一種半色調掩膜的制造方法，包括：

在襯底上層疊阻擋層和光刻膠，對該光刻膠進行曝光和顯影，從而露出所述阻擋層中的必要區域并去除露出的阻擋層；

在形成有所述阻擋層的襯底上層疊第一半透過材料和光刻膠，對該光刻膠進行曝光和顯影，從而露出所述第一半透過材料中的必要區域并去除露出的第一半透過材料；

在形成有所述第一半透過材料的襯底上層疊光刻膠，對該光刻膠進行曝光和顯影，從而露出所述第一半透過材料中的必要區域，并且對露出的第一半透過材料進行等離子體表面處理，以形成第二半透過材料；

在形成有所述第二半透過材料的襯底上層疊光刻膠，對該光刻膠進行曝光和顯影，從而露出所述第一半透過材料中的必要區域，并且對露出的第一半透過材料進行等離子體表面處理，以形成第三半透過材料；以及

去除剩余的光刻膠。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，對所述半透過材料進行等離子體表面處理，以在1％至10％的范圍內細調所述光透射率。

7.根據權利要求5所述的方法，其中，對所述半透過材料進行等離子體表面處理，以在10％至90％的范圍內細調所述光透射率。