[發明專利]光譜純度濾光片、光刻設備、和制造光譜純度濾光片的方法

有效

• 申請號: 201080037737.0
• 申請日: 2010-07-21
• 公開（公告）號: CN102483585A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發明（設計）人: W·索爾;M·杰克;R·德克
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司;皇家飛利浦電子股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G02B5/22;G02B7/00;G21K1/06;H01L21/00;B81C1/00;B81C99/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 吳敬蓮

1.一種制造光譜純度濾光片的方法，所述光譜純度濾光片包括多個孔，所述孔配置成透射極紫外輻射和抑制第二類型的輻射的透射，所述方法包括以下步驟：

提供具有第一主表面和第二主表面的基底材料；

以對應于在所述光譜純度濾光片的孔之間形成的壁的圖案在所述基底材料的第一表面中形成溝道；

用格柵材料填充所述溝道以形成所述格柵材料的壁；和

選擇性地移除所述基底材料的至少一部分，直到所述格柵材料被暴露和在所述格柵材料的壁之間形成空間以形成所述孔為止。

2.根據權利要求1所述的制造光譜純度濾光片的方法，還包括：

在用所述格柵材料填充所述溝道之前用耐受蝕刻過程的材料層至少涂覆所述溝道的表面；和

為所述選擇性地移除所述基底材料的至少一部分，使用所述蝕刻過程。

3.根據權利要求2所述的制造光譜純度濾光片的方法，還包括：在所述選擇性地移除所述基底材料的至少一部分的步驟之后，利用第二蝕刻過程移除耐受第一蝕刻過程的材料，所述第二蝕刻過程不同于所述第一蝕刻過程，所述第一蝕刻過程用于選擇性地從所述基底材料的第二表面移除所述基底材料的一部分。

4.根據權利要求1、2或3所述的制造光譜純度濾光片的方法，其中所述用格柵材料填充所述溝道的步驟包括：在所述基底材料的第一表面上沉積所述格柵材料層使得所述格柵材料進入所述溝道；和選擇性地蝕刻所述基底材料的第一表面使得格柵材料僅保持在所述溝道中。

5.根據前述權利要求中任一項所述的制造光譜純度濾光片的方法，其中在已經填充所述溝道之后，保護覆蓋層形成在所述基底材料的第一表面上。

6.根據從屬于權利要求3的權利要求5所述的制造光譜純度濾光片的方法，其中所述利用所述第二蝕刻過程的步驟用于移除所述保護覆蓋層。

7.根據前述權利要求中任一項所述的制造光譜純度濾光片的方法，其中所述基底材料包括單晶硅，在所述基底材料的第一表面中形成所述溝道的步驟包括反應離子蝕刻。

8.根據權利要求2或從屬于權利要求2的任一項權利要求所述的制造光譜純度濾光片的方法，其中所述用于涂覆所述溝道的表面的材料包括二氧化硅，其中所述選擇性地移除所述基底材料的至少一部分的步驟包括反應離子蝕刻。

9.根據權利要求3或從屬于權利要求3的任一項權利要求所述的制造光譜純度濾光片的方法，其中所述第二蝕刻過程包括等離子體蝕刻。

10.根據前述權利要求中任一項所述的制造光譜純度濾光片的方法，還包括步驟：在所述孔已經形成有能夠反射所述第二類型的輻射的材料之后，涂覆所述格柵材料的至少一個表面。

11.根據前述權利要求中任一項所述的制造光譜純度濾光片的方法，其中：

形成在所述基底材料的第一表面中的溝道包括與在所述光譜純度濾光片的孔之間形成的壁相對應的溝道，所述溝道處于所述基底材料的第一表面的第一區域中；和包括延伸到與所述第一區域相鄰的所述基底材料的第一表面的第二區域中的溝道；和

所述選擇性地移除所述基底材料的至少一部分的步驟配置成使得所述基底材料被從所述基底材料的第二表面的與所述第一表面的第一區域相對應的區域移除，而不從所述第二表面的與所述第一表面的第二區域相對應的區域移除。

12.一種光譜純度濾光片，所述光譜純度濾光片由根據前述權利要求中任一項所述的方法制造。

13.一種光譜純度濾光片，包括：

多個相互連接的壁，位于所述光譜純度濾光片的第一區域中，所述壁限定穿過所述光譜純度濾光片的多個孔，所述多個孔配置成透射極紫外輻射和抑制第二類型的輻射的透射；和

支撐框架，位于與所述第一區域相鄰的所述光譜純度濾光片的第二區域中，所述支撐框架配置成支撐所述壁；

其中形成所述相互連接的壁的材料延伸到所述支撐框架中的一個或更多的開口中，用于提供所述支撐框架和所述相互連接的壁之間的機械連接。

14.一種輻射源，所述輻射源包括根據權利要求12或13所述的光譜純度濾光片。

15.一種光刻設備，所述光刻設備包括根據權利要求12或13所述的光譜純度濾光片。