[發明專利]用于薄膜光伏電池的阻擋膜無效
| 申請號: | 201080037719.2 | 申請日: | 2010-08-24 |
| 公開(公告)號: | CN102484160A | 公開(公告)日: | 2012-05-30 |
| 發明(設計)人: | P·F·卡西亞 | 申請(專利權)人: | 納幕爾杜邦公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 孟慧嵐;李炳愛 |
| 地址: | 美國特*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 薄膜 電池 阻擋 | ||
1.多層制品,所述多層制品包括:
(a)電池基板;
(b)設置在所述電池基板上的薄膜光伏電池,其中所述光伏電池基于下列材料,所述材料選自:納米晶Si、非晶硅(a-Si)、碲化鎘(CdTe)、銅銦(鎵)二硒化物/硫化物(CIS/CIGS)、染料敏化材料和有機材料;
(c)設置在所述薄膜光伏電池上的包封層;和
(d)設置在所述包封層上的至少一個塑料基板,其中所述塑料基板在至少一側上涂覆有一個或多個透明的非晶態阻擋層,所述阻擋層選自元素周期表的第IVB族,第VB族,第VIB族,第IIIA族和第IVA族的氧化物和氮化物以及它們的組合,并且其中所述塑料基板在至少一側上通過原子層沉積的方法涂覆有一個或多個透明的非晶態阻擋層。
2.權利要求1的多層制品,其中所述透明的非晶態阻擋層選自SiO2、Al2O3、TiO2、ZrO2、HfO2、Si3N4以及它們的組合。
3.權利要求1的多層制品,其中所述透明的非晶態阻擋層為Al2O3,并且所述原子層沉積方法使用三甲基鋁和水蒸氣反應物來進行。
4.權利要求1的多層制品,所述多層制品還包括粘合劑層,所述粘合劑層設置在所述至少一個塑料基板上。
5.權利要求1的多層制品,所述多層制品還包括粘合劑層,所述粘合劑層設置在所述塑料基板的涂覆側和耐候層之間。
6.權利要求1的多層制品,所述多層制品還包括成核層,所述成核層夾置在所述塑料基板和所述透明的非晶態阻擋層之間。
7.權利要求1的多層制品,其中所述透明的非晶態阻擋層具有2nm至100nm范圍內的厚度。
8.權利要求1的多層制品,其中所述透明的非晶態阻擋層具有2nm至50nm范圍內的厚度。
9.用于制備多層制品的方法,所述方法包括:
(a)提供電池基板;
(b)將薄膜光伏電池設置在所述電池基板上,所述電池基于下列材料,所述材料選自:納米晶Si、非晶硅(a-Si)、碲化鎘(CdTe)、銅銦(鎵)二硒化物/硫化物(CIS/CIGS)、染料敏化材料和有機材料;
(c)將包封層設置在所述薄膜光伏電池上;以及
(d)將至少一個塑料基板設置在所述包封層上,其中所述塑料基板在至少一側上涂覆有一個或多個透明的非晶態阻擋層,所述阻擋層選自元素周期表的第IVB族,第VB族,第VIB族,第IIIA族和第IVA族的氧化物和氮化物以及它們的組合,并且通過原子層沉積的方法來形成。
10.權利要求9的方法,其中所述原子層沉積的方法包括:
(a)將所述塑料基板和設置在其上的薄膜光伏電池放置在反應室中,所述反應室保持在50℃至250℃的溫度;
(b)使第一前體蒸氣進入到所述室中以在所述塑料基板上形成吸收的前體層;
(c)從所述反應室中清除所述蒸氣;
(d)使第二前體進入到所述反應室中,其中所述第二前體與所述吸收的前體材料反應以形成透明的非晶態阻擋層;
(e)清除所述反應室中的揮發性反應物和由所述反應產生的反應產物;以及
(f)重復所述步驟(b),(c),(d)和(e)足夠的次數以形成具有預選厚度的所述一個或多個透明的非晶態阻擋層。
11.權利要求10的方法,其中所述透明的非晶態阻擋層選自SiO2、Al2O3、TiO2、ZrO2、HfO2、Si3N4以及它們的組合。
12.權利要求11的方法,其中所述透明的非晶態阻擋層為Al2O3,并且所述原子層沉積方法使用三甲基鋁和水蒸氣反應物來進行。
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H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





