[發(fā)明專利]氮化物半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080037631.0
• 申請日: 2010-08-24
• 公開（公告）號: CN102484124A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 梅田英和;按田義治;上田哲三;田中毅;上田大助
• 申請（專利權(quán)）人: 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L21/337;H01L21/338;H01L29/12;H01L29/47;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/808;H01L29/812;H01L29/861;H01L29/872
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 樊建中

1.一種氮化物半導(dǎo)體裝置，其具備：

半導(dǎo)體基板；和

氮化物半導(dǎo)體層，其形成于上述半導(dǎo)體基板上；

上述半導(dǎo)體基板具有通常區(qū)域以及包圍該通常區(qū)域的界面電流阻止區(qū)域；

上述氮化物半導(dǎo)體層具有元件區(qū)域以及包圍該元件區(qū)域的元件分離區(qū)域；

上述元件區(qū)域形成于上述通常區(qū)域上；

上述界面電流阻止區(qū)域包括雜質(zhì)并且對于在上述氮化物半導(dǎo)體層和上述半導(dǎo)體基板的界面處產(chǎn)生的載流子形成勢壘。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體裝置，其中，

上述界面電流阻止區(qū)域包括導(dǎo)電型與上述通常區(qū)域相同的雜質(zhì)；

上述界面電流阻止區(qū)域的雜質(zhì)濃度比上述通常區(qū)域高。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體裝置，其中，

上述界面電流阻止區(qū)域包括導(dǎo)電型與上述通常區(qū)域不同的雜質(zhì)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體裝置，其中，

上述界面電流阻止區(qū)域具有：包括導(dǎo)電型與上述通常區(qū)域相同的雜質(zhì)的第一區(qū)域、和包括導(dǎo)電型與上述通常區(qū)域不同的雜質(zhì)的第二區(qū)域；

上述第一區(qū)域的雜質(zhì)濃度比上述通常區(qū)域高。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的氮化物半導(dǎo)體裝置，其中，

上述第一區(qū)域與上述第二區(qū)域互相隔開間隔形成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體裝置，其中，

上述界面電流阻止區(qū)域形成于上述半導(dǎo)體基板中的除去元件區(qū)域的正下方的部分。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體裝置，其中，

上述界面電流阻止區(qū)域在上述半導(dǎo)體基板的側(cè)面露出。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體裝置，其中，

上述半導(dǎo)體基板具有耗盡層形成區(qū)域，該耗盡層形成區(qū)域在比上述界面電流阻止區(qū)域更靠近內(nèi)側(cè)的位置與上述界面電流阻止區(qū)域隔開間隔而形成、且包括導(dǎo)電型與上述通常區(qū)域不同的雜質(zhì)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體裝置，其中，

上述半導(dǎo)體基板具有多個耗盡層形成區(qū)域，該多個耗盡層形成區(qū)域在比上述界面電流阻止區(qū)域更靠近內(nèi)側(cè)的位置與上述界面電流阻止區(qū)域隔開間隔而形成、且包括導(dǎo)電型與上述通常區(qū)域不同的雜質(zhì)；

上述多個耗盡層形成區(qū)域互相隔開間隔形成。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體裝置，其中，

上述氮化物半導(dǎo)體層形成于比上述半導(dǎo)體基板中的上述界面電流阻止區(qū)域更靠近內(nèi)側(cè)的區(qū)域上。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體裝置，其中，

上述氮化物半導(dǎo)體層具有：第一層、和形成于該第一層上且?guī)侗壬鲜龅谝粚哟蟮牡诙印?/p>

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的氮化物半導(dǎo)體裝置，其中，

上述氮化物半導(dǎo)體裝置還具備：源電極、漏電極以及柵電極。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的氮化物半導(dǎo)體裝置，其中，

上述氮化物半導(dǎo)體層具有：在上述第二層上選擇性地形成且包括p型雜質(zhì)的第三層；

上述柵電極形成于上述第三層上。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的氮化物半導(dǎo)體裝置，其中，

上述氮化物半導(dǎo)體裝置還具備：形成于上述氮化物半導(dǎo)體層上的陰極電極以及陽極電極。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體裝置，其中，

上述氮化物半導(dǎo)體裝置還具備：

形成于上述氮化物半導(dǎo)體層上的源電極、漏電極以及柵電極；和

形成于上述柵電極和上述氮化物半導(dǎo)體層之間的柵極絕緣膜；

上述氮化物半導(dǎo)體層具有從上述半導(dǎo)體基板側(cè)依次形成的n型的第一層、p型的第二層以及n型的第三層，并且具有貫通上述第三層以及第二層而到達(dá)上述第一層的凹部；

上述漏電極與上述第一層相接觸而形成；

上述源電極與上述第三層相接觸而形成；

上述柵電極按照隔著上述柵極絕緣膜來填埋上述凹部的方式形成。