[發明專利]高溫計

有效

• 申請號: 201080037309.8
• 申請日: 2010-08-20
• 公開（公告）號: CN102484041A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發明（設計）人: 馬庫斯·E·貝克;俞明倫
• 申請（專利權）人: 第一太陽能有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星

1.一種監測基底的方法，包括：

將來自基底的熱輻射引導到像素陣列傳感器，其中，基底具有表面；

通過像素陣列傳感器從熱輻射測量基底的溫度。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述表面包括沉積在基底上的薄膜。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，將來自基底的熱輻射引導到像素陣列傳感器的步驟包括：將來自基底的不同位置的熱輻射分別引導到像素陣列傳感器的不同的區段。

4.根據權利要求3所述的方法，還包括步驟：在不同的位置測量溫度并將該溫度與基底相關聯。

5.根據權利要求2所述的方法，還包括步驟：將來自源的熱輻射引導到沉積在基底上的薄膜。

6.根據權利要求2所述的方法，還包括以下步驟：

獲取來自薄膜的發射光譜和反射能量；

基于所述發射光譜和所述反射能量提取沉積薄膜厚度信息。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，像素陣列傳感器包括紅外檢測器。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，像素陣列傳感器包括波長測量范圍為大約500納米到大約1000納米的紅外檢測器。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，像素陣列傳感器包括波長測量范圍為大約1000納米到大約100微米的紅外檢測器。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，像素陣列傳感器包括光電導檢測器。

11.根據權利要求1所述的方法，其中，像素陣列傳感器包括光生伏打檢測器。

12.根據權利要求1所述的方法，其中，像素陣列傳感器包括光電二極管檢測器。

13.根據權利要求1所述的方法，還包括：存儲用于分析的測量數據。

14.根據權利要求1所述的方法，還包括：實時處理測量數據。

15.根據權利要求1所述的方法，其中，通過光纖傳輸熱輻射。

16.根據權利要求4所述的方法，其中，所述方法還包括：

引導來自基底的不同位置的熱輻射穿過縫隙掩模，以照射像素陣列傳感器的一行區段，其中，可以使位置與溫度信息相關聯。

17.根據權利要求16所述的方法，其中，所述方法還包括：

通過波長色散元件使不同波長的光沿垂直于縫隙的長度的方向分散，其中，像素陣列傳感器的一個維度可包含位置信息，而像素陣列傳感器的另一個維度可包含波長信息，以獲取對位置敏感的光譜信息。

18.一種位置敏感高溫計，包括：

像素陣列傳感器；

透鏡，光學地連接到像素陣列傳感器且與基底路徑接近，其中，當具有表面的基底處于基底路徑中時，熱輻射從基底輻射穿過透鏡到達像素陣列傳感器。

19.根據權利要求18所述的位置敏感高溫計，其中，所述表面包括沉積在基底上的薄膜。

20.根據權利要求18所述的位置敏感高溫計，還包括光學地連接到像素陣列傳感器且接近基底路徑的多個透鏡，其中，所述多個透鏡朝向基底路徑上的多個位置。

21.根據權利要求19所述的位置敏感高溫計，其中，當基底處于基底路徑中時，熱輻射可從基底上的多個位置輻射穿過所述多個透鏡到達像素陣列傳感器。

22.根據權利要求18所述的位置敏感高溫計，其中，利用光纜將透鏡光學地連接到像素陣列傳感器。

23.根據權利要求19所述的位置敏感高溫計，還包括：

有源光譜高溫測量裝置，被配置為基于來自薄膜的反射能量和發射光譜來提取沉積薄膜厚度信息。

24.根據權利要求23所述的位置敏感高溫計，其中，有源光譜高溫測量裝置包括產生光束并將光束引導到薄膜上的光源。

25.根據權利要求18所述的位置敏感高溫計，其中，像素陣列傳感器包括紅外檢測器。