[發明專利]等離子體處理裝置和基板處理方法

無效

• 申請號: 201080037151.4
• 申請日: 2010-08-16
• 公開（公告）號: CN102484939A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發明（設計）人: 石橋清隆;森田治
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H05H1/46
• 分類號: H05H1/46;C23C16/511;H01L21/205;H01L21/3065
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種等離子體處理裝置，其特征在于，具備：

處理容器，其上部側開口，且在其內部對被處理基板進行等離子體處理；

氣體供給部，其向所述處理容器內供給等離子體處理用的氣體；

保持臺，其配置于所述處理容器內，且在所述保持臺的上方保持所述被處理基板；

微波發生器，其產生等離子體激勵用的微波；

電介質板，其以覆蓋所述處理容器的開口的方式配置，密封所述處理容器，并且使微波透過到所述處理容器內；

縫隙天線板，其設置有多個縫隙孔，且配置于所述電介質板的上方側，向所述電介質板發射微波；

滯波板，其配置于所述縫隙天線板的上方側，在徑向傳播微波；和

微波供給單元，向所述縫隙天線板供給由所述微波發生器產生的微波，

所述微波供給單元具備：

同軸導波管，其包括一個端部與所述縫隙天線板的中心連接的大致圓棒狀的內導體，和與所述內導體在徑向隔開間隙且設置于所述內導體的外徑側的大致圓筒狀的外導體；和

變更單元，其使所述內導體的外周面的一部分與在徑向與所述內導體的外周面的一部分相對的相對部在徑向的距離變更。

2.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述變更單元包括能夠從所述外導體側向所述內導體側延伸出的短截線部件。

3.如權利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述短截線部件包括：

棒狀部，其在所述外導體側被支承，且設置為在徑向延伸；和

移動量調整部件，其對所述棒狀部的徑向的移動量進行調整。

4.如權利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

在所述同軸導波管的延伸方向上隔開間隔地設置有多個所述短截線部件。

5.如權利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

在圓周方向上隔開間隔地設置有多個所述短截線部件。

6.如權利要求5所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

在圓周方向上以大致相等的間隔設置有所述多個短截線部件。

7.如權利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述短截線部件之中的至少能夠位于所述間隙的部分的材質是電介質。

8.如權利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

在所述同軸導波管的軸方向上，所述滯波板的上方側的端部與所述短截線部件的距離為10mm以下。

9.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述變更單元能夠使所述內導體的外周面的一部分與相對于所述一部分的相對部在徑向的距離變更為4mm以下。

10.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述微波發生器包括磁控管、隔離器和調諧器。

11.一種基板處理方法，其特征在于：

準備一種等離子體處理裝置，該等離子體處理裝置具備：

處理容器，其上部側開口，且在其內部對被處理基板進行等離子體處理；

氣體供給部，其向所述處理容器內供給等離子體處理用的氣體；

保持臺，其配置于所述處理容器內，且在所述保持臺的上方保持所述被處理基板；

微波發生器，其產生等離子體激勵用的微波；

電介質板，其以覆蓋所述處理容器的開口的方式配置，密封所述處理容器，并且使微波透過到所述處理容器內；

縫隙天線板，其設置有多個縫隙孔，且配置于所述電介質板的上方側，向所述電介質板發射微波；

滯波板，其配置于所述縫隙天線板的上方側，在徑向傳播微波；和

微波供給單元，向所述縫隙天線板供給由所述微波發生器產生的微波，

所述微波供給單元具備：

同軸導波管，其包括一個端部與所述縫隙天線板的中心連接的大致圓棒狀的內導體，和與所述內導體在徑向隔開間隙且設置于所述內導體的外徑側的大致圓筒狀的外導體；和

變更單元，其使所述內導體的外周面的一部分與在徑向與所述內導體的外周面的一部分相對的相對部在徑向的距離變更，

將被處理基板保持在所述保持臺，

通過所述微波發生器產生微波，

通過所述變更單元，使所述內導體的外周面的一部分與在徑向與所述內導體的外周面的一部分相對的相對部在徑向的距離變更，使在所述處理容器內產生的等離子體在所述電介質板的下表面側變得均勻，

對所述被處理基板進行等離子體處理。