[發(fā)明專利]具有基于二極管的偏壓的堆疊式放大器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201080036779.2 | 申請日： | 2010-08-19 |
| 公開（公告）號： | CN102484452A | 公開（公告）日： | 2012-05-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 趙瑜;內(nèi)森··M·普萊徹 | 申請（專利權(quán)）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分類號： | H03F1/02 | 分類號： | H03F1/02;H03F1/30;H03F3/189 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 宋獻濤 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 基于 二極管 偏壓 堆疊 放大器 | ||
1.一種設(shè)備，其包含：
放大器，其包含
多個晶體管，其耦合成堆疊且用于接收并放大輸入信號且提供輸出信號，以及
至少一個二極管，其操作性地耦合到所述堆疊中的至少一個晶體管，每一二極管將可變偏壓電壓提供給所述堆疊中一相關(guān)聯(lián)的晶體管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，所述至少一個二極管包含操作性地耦合到所述堆疊中的單個晶體管的單個二極管，所述單個晶體管接收所述輸入信號且為所述輸入信號提供信號增益。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，所述至少一個二極管包含用于所述堆疊中的每一晶體管的一個二極管，每一二極管操作性地耦合到所述堆疊中一相關(guān)聯(lián)的晶體管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，每一二極管在高輸入功率下具有跨所述二極管的較低電壓降，且在高輸入功率下將較高偏壓電壓提供給所述相關(guān)聯(lián)的晶體管。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，所述至少一個晶體管歸因于來自所述至少一個二極管的較高偏壓電壓而在高輸入功率下具有較高增益。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，所述放大器進一步包含
至少一個電阻器，其耦合于所述堆疊中的所述至少一個晶體管與所述至少一個二極管之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備，所述至少一個電阻器中的每一者為可變電阻器。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，所述放大器進一步包含
多個電阻器，其耦合成梯且為所述堆疊中的所述多個晶體管提供多個偏壓電壓，所述至少一個二極管耦合到所述梯中的至少一個電阻器。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，所述多個電阻器包含至少一個可變電阻器以在所述多個偏壓電壓中提供至少一個可調(diào)整偏壓電壓。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，所述放大器進一步包含
多個電容器，其耦合到所述梯中的所述多個電阻器，所述堆疊中的每一晶體管一個電容器，每一電容器提供從所述堆疊中的相關(guān)聯(lián)的晶體管的柵極觀察到的低阻抗。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，所述多個晶體管包含金屬氧化物半導體MOS晶體管。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，所述多個晶體管包含N溝道金屬氧化物半導體NMOS晶體管。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，所述至少一個二極管包含各自耦合為二極管的至少一個NMOS晶體管。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，所述放大器包含耦合成所述堆疊的至少三個晶體管。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，所述放大器為功率放大器以接收輸入射頻RF信號且提供輸出RF信號。
16.一種集成電路，其包含：
放大器，其包含
多個金屬氧化物半導體MOS晶體管，其耦合成堆疊且接收并放大輸入信號且提供輸出信號，以及
至少一個二極管式連接的MOS晶體管，其操作性地耦合到所述堆疊中的至少一個MOS晶體管，每一二極管式連接的MOS晶體管將可變偏壓電壓提供給所述堆疊中一相關(guān)聯(lián)的MOS晶體管。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的集成電路，所述至少一個二極管式連接的MOS晶體管包含操作性地耦合到所述堆疊中的單個MOS晶體管的單個二極管式連接的MOS晶體管，所述單個MOS晶體管接收所述輸入信號且為所述輸入信號提供信號增益。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的集成電路，所述至少一個二極管式連接的MOS晶體管包含用于所述堆疊中的每一MOS晶體管的一個二極管式連接的MOS晶體管，每一二極管式連接的MOS晶體管操作性地耦合到所述堆疊中一相關(guān)聯(lián)的MOS晶體管。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的集成電路，所述放大器進一步包含
至少一個電阻器，其耦合于所述至少一個二極管式連接的MOS晶體管與所述堆疊中的所述至少一個MOS晶體管之間。
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