[發(fā)明專利]紅外輻射微裝置的外殼和制備所述外殼的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201080036733.0 | 申請日： | 2010-06-21 |
| 公開（公告）號： | CN102549749B | 公開（公告）日： | 2017-06-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | W·賴納特;J·昆策爾;S·蒂內(nèi)斯;C·羅曼 | 申請（專利權(quán)）人： | 烏利斯股份公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 永新專利商標(biāo)代理有限公司72002 | 代理人： | 苗征,于輝 |
| 地址： | 法國沃雷*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 紅外 輻射 裝置 外殼 制備 方法 | ||
1.將紅外輻射微單元(120，121)容置以提供晶圓級紅外輻射微裝置(100)的方法，外殼包括蓋子(101)和基底(102)以及硅距離框架(140)，所述方法包括以下步驟：
-以圖案掩蔽所述蓋子(101)，以形成表面紋理，所述表面紋理用于以下目的之一：降低所述蓋子(101)對于紅外輻射的反射率，和增強(qiáng)所述蓋子(101)對于紅外輻射的透過率，
-蝕刻所述蓋子(101)以創(chuàng)建具有所述表面紋理的區(qū)域(190,195)，所述表面紋理包括隆起和/或凹陷，
-在所述蓋子(101)的基底側(cè)上提供硅距離框架(140)，其中所述硅距離框架(140)通過以下方式提供：
-在包含表面紋理的蓋子(101)上沉積非結(jié)構(gòu)化TEOS層，從而也覆蓋所述表面紋理，
-通過CVD在非結(jié)構(gòu)化的TEOS層上沉積硅層，
-用限定硅距離框架(140)的圖案掩蔽CVD沉積的硅層，
-蝕刻所述CVD沉積的硅層以提供硅距離框架(140)，并
-去除所述硅距離框架(140)外的所述蓋子(101)的非結(jié)構(gòu)化TEOS層，暴露表面紋理；
-將所述基底(102)和所述蓋子(101)與中間的所述距離框架(140)接合(380)，這樣所述基底(102)、所述蓋子(101)和所述距離框架(140)形成空腔(116)，容置基底(102)上的紅外輻射微單元(120,121)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其包括其他步驟：將吸氣劑材料層(115)施加于所述蓋子(101)或所述基底(102)上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其包括其他步驟：通過金和錫電鍍在所述硅距離框架(140)上施加密封框架金屬涂層(150)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其包括其他步驟：
在所述蓋子(101)，尤其是所述蓋子(101)的遠(yuǎn)離基底(102)一側(cè)上沉積多個Ge-ZnS層，所述多個Ge-ZnS具有不同的層厚度用于消除多個波長。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述基底(102)為基底晶圓的一部分和/或所述蓋子(101)為蓋子晶圓的一部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其包括將所述基底(102)和所述蓋子(101)與中間的距離框架(140)接合(380)，這樣每組基底、蓋子和距離框架形成空腔，容置各紅外輻射微單元(120,121)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其包括其他步驟：蓋子晶圓和/或基底晶圓切割。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中切割所述蓋子晶圓以暴露電接觸墊。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中切割所述蓋子晶圓，不切割所述基底晶圓，對于電氣裝置特征描述，將具有切割的蓋子晶圓的未切割的基底晶圓暴露于測試氣體氣氛，測量真空水平，識別未切割的基底晶圓上的泄露裝置，用于以后的廢棄。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中切割所述基底晶圓以獲得測試的紅外輻射微裝置。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中通過檢測容置的紅外輻射微單元(120,121)的熱絕緣特性測量真空水平。
12.紅外輻射微單元(120)的外殼，其包括晶圓級的基底晶圓和蓋子晶圓，其通過權(quán)利要求1-11任一項所述的方法制造，所述外殼包括：
-硅距離框架(140)，在添加過程中在蓋子(101)的基底側(cè)或基底(102)的蓋子側(cè)上形成，并設(shè)置在基底(102)和蓋子(101)之間以形成空腔(116)；
-空腔(116)，其容置紅外輻射檢測、發(fā)射或反射紅外輻射微單元(120)并設(shè)置在基底(102)和蓋子(101)之間，
-蓋子(101)，其包括抗反射表面紋理(195,191)，以增強(qiáng)紅外輻射的透過率。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的外殼，其中通過被蝕刻在所述蓋子(101)的材料中的隆起或凹陷而形成所述抗反射表面紋理。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的外殼，其中在所述蓋子(101)的遠(yuǎn)離基底一側(cè)上設(shè)置與所述抗反射表面紋理相對的薄膜抗反射涂層(132)。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
